公开(公告)号：US08513944B2

公开(公告)日：2013-08-20

申请号：US12903519

申请日：2010-10-13

申请人： Bernard Rodmacq ,  Stéphane Auffret ,  Bernard Dieny ,  Lavinia Elena Nistor

发明人： Bernard Rodmacq ,  Stéphane Auffret ,  Bernard Dieny ,  Lavinia Elena Nistor

IPC分类号： G01R33/07 ,  G01R33/02

CPC分类号： H01L43/06 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/098 ,  G11C11/18 ,  H01F10/3218 ,  H01F10/3236 ,  H01F10/3286 ,  H01F41/32 ,  H01L43/14

摘要： A three-layer magnetic element comprises, on a substrate, a first oxide, hydride or nitride layer O having a metal magnetic layer M mounted thereon, the latter having either a second oxide, hydride or nitride layer O′, or a non-ferromagnetic metal layer M′ mounted thereon. Layer M is continuous, has a thickness of 1 to 5 nm and the magnetization thereof is parallel to the layer plane in the absence of layers O and O′. There is, for a range of temperature equal to or greater than ambient temperature, interfacial magnetic anisotropy perpendicular to the layer plane on interfaces O/M and M/O′ that is capable of decreasing the effective demagnetizing field of layer M or orienting the magnetization of layer M in a manner substantially perpendicular to the layer plane.

摘要翻译： 三层磁性元件在衬底上包括其上安装有金属磁性层M的第一氧化物，氢化物或氮化物层O，其具有第二氧化物，氢化物或氮化物层O'或非铁磁性层 金属层M'。 层M是连续的，具有1至5nm的厚度，并且其磁化在不存在层O和O'的情况下平行于层平面。 对于等于或大于环境温度的温度范围，界面O / M和M / O'上的垂直于层平面的界面磁各向异性能够降低层M的有效去磁场或使磁化 层M以基本上垂直于层平面的方式。

公开(公告)号：US20110163743A1

公开(公告)日：2011-07-07

申请号：US12903519

申请日：2010-10-13

申请人： Bernard RODMACQ ,  Stéphane AUFFRET ,  Bernard DIENY ,  Lavinia Elena NISTOR

发明人： Bernard RODMACQ ,  Stéphane AUFFRET ,  Bernard DIENY ,  Lavinia Elena NISTOR

IPC分类号： G01R33/02 ,  H01L29/82 ,  H01L21/02 ,  G01R33/06

CPC分类号： H01L43/06 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/098 ,  G11C11/18 ,  H01F10/3218 ,  H01F10/3236 ,  H01F10/3286 ,  H01F41/32 ,  H01L43/14

摘要： This three-layer magnetic element comprises, on a substrate, a first oxide, hydride or nitride layer O having a metal magnetic layer M mounted thereon, the latter having either a second oxide, hydride or nitride layer O′, or a non-ferromagnetic metal layer M′ mounted thereon.Layer M is continuous, has a thickness of 1 to 5 nm and the magnetisation thereof is parallel to the layer plane in the absence of layers O and O′.There is, for a range of temperature equal to or greater than ambient temperature, interfacial magnetic anisotropy perpendicular to the layer plane on interfaces O/M and M/O′ that is capable of decreasing the effective demagnetising field of layer M or orienting the magnetisation of layer M in a manner substantially perpendicular to the layer plane.

摘要翻译： 该三层磁性元件在衬底上包括其上安装有金属磁性层M的第一氧化物，氢化物或氮化物层O，后者具有第二氧化物，氢化物或氮化物层O'或非铁磁性 金属层M'。 层M是连续的，具有1至5nm的厚度，并且其磁化在不存在层O和O'的情况下平行于层平面。 对于等于或大于环境温度的温度范围，在界面O / M和M / O'上垂直于层平面的界面磁各向异性，其能够降低层M的有效去磁场或定向磁化 层M以基本上垂直于层平面的方式。