公开(公告)号：US07939395B2

公开(公告)日：2011-05-10

申请号：US12465857

申请日：2009-05-14

申请人： Wagdi W. Abadeer ,  Lillian Kamal, legal representative ,  Kiran V. Chatty ,  Robert J. Gauthier, Jr. ,  Jed H. Rankin ,  Yun Shi ,  William R. Tonti

发明人： Wagdi W. Abadeer ,  Kiran V. Chatty ,  Robert J. Gauthier, Jr. ,  Jed H. Rankin ,  Yun Shi ,  William R. Tonti

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L27/1207 ,  H01L21/84

摘要： Structures and methods for integrating a thick oxide high-voltage metal-oxide-semiconductor (MOS) device into a thin oxide silicon-on-insulator (SOI). A method of forming a semiconductor structure includes forming first source and drain regions of a first device below a buried oxide layer of a silicon-on-insulator (SOI) wafer, forming a gate of the first device in a layer of semiconductor material above the buried oxide layer; and forming second source and drain regions of a second device in the layer of semiconductor material above the buried oxide layer.

摘要翻译： 将厚氧化物高压金属氧化物半导体（MOS）器件集成到薄氧化物绝缘体上硅（SOI）中的结构和方法。 一种形成半导体结构的方法包括：在绝缘体上硅（SOI）晶片的掩埋氧化物层下方形成第一器件的第一源极和漏极区，在第一器件的栅极上形成半导体材料的栅极， 埋氧层; 以及在所述掩埋氧化物层上方的所述半导体材料层中形成第二器件的第二源极和漏极区域。