公开(公告)号：US4398055A

公开(公告)日：1983-08-09

申请号：US295072

申请日：1981-08-21

申请人： Lubna R. Ijaz ,  Larry C. Burton

发明人： Lubna R. Ijaz ,  Larry C. Burton

IPC分类号： H01L31/032 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/072 ,  H01L31/06 ,  C23C15/00 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/072 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0336 ,  Y02E10/50 ,  Y10S438/93

摘要： Thin film radiant energy converter having a sputtered CdSiAs.sub.2 photovoltaic absorber layer and a thermally evaporated CdS top layer. The sputtering technique with multiple targets (Cd, Si, As) is used to obtain stoichiometric CdSiAs.sub.2 thin films which are polycrystalline and have large grain size to thereby reduce grain boundary recombinations of the photogenerated electrons.

摘要翻译： 具有溅射的CdSiAs 2光伏吸收层和热蒸发的CdS顶层的薄膜辐射能转换器。 使用具有多个靶（Cd，Si，As）的溅射技术来获得化学计量的CdSiAs2薄膜，其是多晶的并且具有大的晶粒尺寸，从而减少光生电子的晶界复合。