公开(公告)号：US20120148728A1

公开(公告)日：2012-06-14

申请号：US12964331

申请日：2010-12-09

申请人： Manuel Vincente Vales Canle ,  Maria Tomas Martinez ,  Javier San-Segundo Sanchez

发明人： Manuel Vincente Vales Canle ,  Maria Tomas Martinez ,  Javier San-Segundo Sanchez

IPC分类号： C23C16/24 ,  C23C16/442 ,  C23C16/52 ,  C23C16/455

CPC分类号： C23C16/24 ,  C01B33/027 ,  C01B33/03 ,  C01B33/035 ,  C23C16/442

摘要： Methods and apparatus for the production of high purity silicon including a silicon deposition reactor with a gas distribution plate for injecting gas into the silicon deposition reactor.

摘要翻译： 包括具有用于将气体注入硅沉积反应器的气体分配板的硅沉积反应器的高纯度硅的生产方法和装置。