公开(公告)号：US20110048957A1

公开(公告)日：2011-03-03

申请号：US12584137

申请日：2009-09-01

申请人： Martina Damayanti ,  Thirumany Sritharan ,  Chee Mang Ng

发明人： Martina Damayanti ,  Thirumany Sritharan ,  Chee Mang Ng

IPC分类号： C25D5/54 ,  B05D3/02 ,  B32B9/00 ,  B32B15/01

CPC分类号： C23C14/5806 ,  B32B15/01 ,  C23C14/0688 ,  C25D5/48 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76873 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/12875 ,  H01L2924/00

摘要： A structure and method for forming a relatively thin diffusion barrier/seed bilayer for copper metallization in an electronic device is disclosed. A single layer of an alloy is formed over a dielectric (and possibly the copper layer). The alloy includes a copper platable metal (e.g., ruthenium) and a nitride forming material (e.g., tungsten) and nitrogen. The alloy layer is annealed, and the alloy naturally segregates into two layers. The first layer is a barrier layer including the nitride forming material and nitrogen. The second layer is a seed layer including the copper platable metal.

摘要翻译： 公开了一种用于在电子设备中形成用于铜金属化的相对薄的扩散阻挡层/种子双层的结构和方法。 在电介质（可能是铜层）上形成单层合金。 合金包括可镀铜金属（例如钌）和氮化物形成材料（例如钨）和氮。 合金层退火，合金自然分离成两层。 第一层是包括氮化物形成材料和氮的阻挡层。 第二层是包括可镀铜金属的种子层。