公开(公告)号：US20060011946A1

公开(公告)日：2006-01-19

申请号：US10506100

申请日：2003-02-28

申请人： Tadao Toda ,  Tsutomu Yamaguchi ,  Masayuki Hata ,  Yasuhiko Nomura ,  Masayuki Shouno ,  Yuuji Hishida ,  Keiichi Yodoshi ,  Daijiro Inoue ,  Takashi Kano ,  Nobuhiko Hayashi

发明人： Tadao Toda ,  Tsutomu Yamaguchi ,  Masayuki Hata ,  Yasuhiko Nomura ,  Masayuki Shouno ,  Yuuji Hishida ,  Keiichi Yodoshi ,  Daijiro Inoue ,  Takashi Kano ,  Nobuhiko Hayashi

IPC分类号： H01L27/10

CPC分类号： H01S5/32341 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2219

摘要： A nitride semiconductor laser element capable of controlling the lateral confinement of light with a good reproducibility, the nitride semiconductor element comprising an n-type cladding layer (3), an MQW light emitting layer (4) formed on the cladding layer (3), a p-type cladding layer (5) and a p-type contact layer (6) formed on the light emitting layer (4), and an ion implantation light absorbing layer (7) formed, by introducing carbon, in regions other than a current passing region (8) in the cladding layer (5) and the contact layer (6).

摘要翻译： 一种氮化物半导体激光元件，其能够以良好的再现性控制光的横向限制，所述氮化物半导体元件包括n型包覆层（3），形成在所述包层（3）上的MQW发光层（4） 形成在发光层（4）上的p型覆盖层（5）和p型接触层（6），以及通过引入碳而形成的离子注入光吸收层（7） 包覆层（5）和接触层（6）中的电流通过区域（8）。