公开(公告)号：US06451181B1

公开(公告)日：2002-09-17

申请号：US09261879

申请日：1999-03-02

申请人： Dean J. Denning ,  Sam S. Garcia ,  Bradley P. Smith ,  Daniel J. Loop ,  Gregory Norman Hamilton ,  Md. Rabiul Islam ,  Brian G. Anthony

发明人： Dean J. Denning ,  Sam S. Garcia ,  Bradley P. Smith ,  Daniel J. Loop ,  Gregory Norman Hamilton ,  Md. Rabiul Islam ,  Brian G. Anthony

IPC分类号： C23C1434

CPC分类号： H01L21/76846 ,  C23C14/50 ,  C23C14/564 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76871

摘要： A method for forming an improved copper inlaid interconnect (FIG. 11) begins by performing an RF preclean operation (408) on the inlaid structure in a chamber (10). The RF preclean rounds corners (210a and 206a) of the structure to reduce voiding and improve step coverage while not significantly removing copper atoms from the underlying exposed copper interconnects surfaces (202a). A tantalum barrier (220) is then deposited where one portion of the tantalum barrier is more tensile than another portion of the tantalum barrier. After formation of the barrier layer (220), a copper seed layer (222) is formed over a top of the barrier layer. The copper layer is formed while clamping the wafer with an improved clamp (85) which reduces copper peeling and contamination at wafer edges. Copper electroplating and chemical mechanical polishing (CMP) processes are then used to complete the copper interconnect structure.

摘要翻译： 用于形成改进的铜镶嵌互连（图11）的方法开始于在腔室（10）中的镶嵌结构上执行RF预清洗操作（408）。 RF预清洁器围绕结构的角部（210a和206a），以减少空隙并改善步骤覆盖，同时不显着地从下面暴露的铜互连表面（202a）去除铜原子。 然后沉积钽屏障（220），其中一部分钽屏障比钽屏障的另一部分更具拉伸力。 在形成阻挡层（220）之后，在阻挡层的顶部上形成铜籽晶层（222）。 在使用改进的夹具（85）夹紧晶片的同时形成铜层，其减少了在晶片边缘处的铜剥离和污染。 然后使用铜电镀和化学机械抛光（CMP）工艺来完成铜互连结构。