公开(公告)号：US20080254578A1

公开(公告)日：2008-10-16

申请号：US11882539

申请日：2007-08-02

申请人： Chih-Jen Shih ,  Wen-Chun Yeh ,  Min-Che Ho ,  Wen-Chi Yang

发明人： Chih-Jen Shih ,  Wen-Chun Yeh ,  Min-Che Ho ,  Wen-Chi Yang

IPC分类号： H01L21/84

CPC分类号： H01L21/02686 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02675 ,  H01L27/1285

摘要： A method for fabricating thin film transistors is disclosed. An amorphous silicon film is formed on a substrated and selectively irradiated with a laser beam for lateral growth to form a plurality of polysilicon regions. The whole surface of the substrate is then oxidized and irradiated with exicer laser annealing.

摘要翻译： 公开了制造薄膜晶体管的方法。 一个非晶硅膜形成在一个底层上并选择性地用激光束照射以进行横向生长以形成多个多晶硅区域。 然后将基板的整个表面氧化并用激光退火进行照射。