公开(公告)号：US20110198314A1

公开(公告)日：2011-08-18

申请号：US12658662

申请日：2010-02-12

申请人： Hui-Chuan Wang ,  Tong Zhao ,  Min Zheng ,  Minghui Yu ,  Min Li ,  Cherng Chyi Han

发明人： Hui-Chuan Wang ,  Tong Zhao ,  Min Zheng ,  Minghui Yu ,  Min Li ,  Cherng Chyi Han

IPC分类号： B44C1/22

CPC分类号： B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G01R33/098 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/398 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3259 ,  H01F41/308 ,  H01L43/12 ,  Y10T29/49021

摘要： A three step ion beam etch (IBE) sequence involving low energy (

摘要翻译： 公开了涉及低能量（<300eV）的三步离子束蚀刻（IBE）序列，用于将传感器临界尺寸（自由层宽度= FLW）修整到小于50nm。 第一个IBE步骤相对于传感器侧壁具有陡峭的入射角，占FLW降低的60％至90％。 第二IBE步骤具有浅入射角和扫动运动，以从第一IBE步骤去除残留物并进一步修整侧壁。 第三IBE步骤具有陡峭的入射角度，以从第二步骤去除损坏的侧壁部分，占FLW减少量的10％至40％。 结果，FLW接近30nm，同时保持60％以上的高MR比和1.2ohm-μm2的低RA。 通过改变一个或多个离子束入射角来操纵侧壁角。

公开(公告)号：US08728333B2

公开(公告)日：2014-05-20

申请号：US12658662

申请日：2010-02-12

申请人： Hui-Chuan Wang ,  Tong Zhao ,  Min Zheng ,  Minghui Yu ,  Min Li ,  Cherng Chyi Han

发明人： Hui-Chuan Wang ,  Tong Zhao ,  Min Zheng ,  Minghui Yu ,  Min Li ,  Cherng Chyi Han

IPC分类号： B44C1/22 ,  B82Y25/00 ,  G11B5/31 ,  G01R33/09 ,  H01F41/30

CPC分类号： B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G01R33/098 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/398 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3259 ,  H01F41/308 ,  H01L43/12 ,  Y10T29/49021

摘要： A three step ion beam etch (IBE) sequence involving low energy (

摘要翻译： 公开了涉及低能量（<300eV）的三步离子束蚀刻（IBE）序列，用于将传感器临界尺寸（自由层宽度= FLW）修整到小于50nm。 第一个IBE步骤相对于传感器侧壁具有陡峭的入射角，占FLW降低的60％至90％。 第二IBE步骤具有浅入射角和扫动运动，以从第一IBE步骤去除残留物并进一步修整侧壁。 第三IBE步骤具有陡峭的入射角度，以从第二步骤去除损坏的侧壁部分，占FLW减少量的10％至40％。 结果，FLW接近30nm，同时保持60％以上的高MR比和1.2ohm-μm2的低RA。 通过改变一个或多个离子束入射角来操纵侧壁角。