公开(公告)号：US09117820B2

公开(公告)日：2015-08-25

申请号：US13570237

申请日：2012-08-08

申请人： Mu-Chin Chen ,  Yuan-Sheng Chiang ,  Chi-Sheng Hsiung

发明人： Mu-Chin Chen ,  Yuan-Sheng Chiang ,  Chi-Sheng Hsiung

IPC分类号： H01L23/528 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L21/76877 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A conductive line of a semiconductor device includes a conductive layer disposed on a semiconductor substrate. A thickness of the conductive layer is substantially larger than 10000 angstrom (Å), and at least a side of the conductive layer has at least two different values of curvature.

摘要翻译： 半导体器件的导线包括设置在半导体衬底上的导电层。 导电层的厚度基本上大于10000埃，并且导电层的至少一侧具有至少两个不同的曲率值。

公开(公告)号：US20140042642A1

公开(公告)日：2014-02-13

申请号：US13570237

申请日：2012-08-08

申请人： Mu-Chin Chen ,  Yuan-Sheng Chiang ,  Chi-Sheng Hsiung

发明人： Mu-Chin Chen ,  Yuan-Sheng Chiang ,  Chi-Sheng Hsiung

IPC分类号： H01L23/535 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76877 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A conductive line of a semiconductor device includes a conductive layer disposed on a semiconductor substrate. A thickness of the conductive layer is substantially larger than 10000 angstrom (Å), and at least a side of the conductive layer has at least two different values of curvature.

摘要翻译： 半导体器件的导线包括设置在半导体衬底上的导电层。 导电层的厚度基本上大于10000埃，并且导电层的至少一侧具有至少两个不同的曲率值。