公开(公告)号：US20140042642A1

公开(公告)日：2014-02-13

申请号：US13570237

申请日：2012-08-08

申请人： Mu-Chin Chen ,  Yuan-Sheng Chiang ,  Chi-Sheng Hsiung

发明人： Mu-Chin Chen ,  Yuan-Sheng Chiang ,  Chi-Sheng Hsiung

IPC分类号： H01L23/535 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76877 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A conductive line of a semiconductor device includes a conductive layer disposed on a semiconductor substrate. A thickness of the conductive layer is substantially larger than 10000 angstrom (Å), and at least a side of the conductive layer has at least two different values of curvature.

摘要翻译： 半导体器件的导线包括设置在半导体衬底上的导电层。 导电层的厚度基本上大于10000埃，并且导电层的至少一侧具有至少两个不同的曲率值。

公开(公告)号：US06242730B1

公开(公告)日：2001-06-05

申请号：US09325031

申请日：1999-06-03

申请人： Shih-Yao Lin ,  Shu-Li Chen ,  Jeenh-Bang Yeh ,  Yuan-Sheng Chiang

发明人： Shih-Yao Lin ,  Shu-Li Chen ,  Jeenh-Bang Yeh ,  Yuan-Sheng Chiang

IPC分类号： H01L2700

CPC分类号： H01L27/14632 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14667

摘要： A semiconductor image sensor includes a metal layer formed on a semiconductor substrate. An oxide layer is disposed over the semiconductor substrate to cover the metal layer. A SOG is disposed on the oxide layer, a color filter is disposed on the SOG and a silicon-oxy-nitride layer is disposed thereon. By using the high transmittance of the SOG and the silicon-oxy-nitride layer, the blue light transmittance by the semiconductor image sensor is therefore enhanced.

摘要翻译： 半导体图像传感器包括形成在半导体衬底上的金属层。 氧化物层设置在半导体衬底上以覆盖金属层。 在氧化物层上设置SOG，在SOG上设置滤色器，在其上配置硅 - 氮化物层。 通过使用SOG和硅 - 氮化物层的高透射率，因此增强了半导体图像传感器的蓝色透光率。

公开(公告)号：US20080111160A1

公开(公告)日：2008-05-15

申请号：US11954182

申请日：2007-12-11

申请人： Yuan-Sheng Chiang ,  Hsuan-Hsu Chen

发明人： Yuan-Sheng Chiang ,  Hsuan-Hsu Chen

IPC分类号： H01L27/148

CPC分类号： H01L27/14689 ,  H01L21/76804

摘要： A semiconductor device is described, including a substrate, a transistor, a hard mask layer and an anti-reflection layer. The substrate includes a first area and a second area, wherein the second area includes a photosensing area. The transistor is disposed on the substrate in the first area and the hard mask layer over the substrate in the second area. The anti-reflection layer is disposed between the hard mask layer and the substrate.

摘要翻译： 描述了一种半导体器件，包括衬底，晶体管，硬掩模层和抗反射层。 衬底包括第一区域和第二区域，其中第二区域包括光敏区域。 晶体管设置在第一区域的基板上，第二区域中设置在基板上的硬掩模层。 防反射层设置在硬掩模层和基板之间。

公开(公告)号：US20100105157A1

公开(公告)日：2010-04-29

申请号：US12259037

申请日：2008-10-27

申请人： Cheng-Hsun Lee ,  Yi-Tyng Wu ,  Wei-Chen Sun ,  Yuan-Sheng Chiang

发明人： Cheng-Hsun Lee ,  Yi-Tyng Wu ,  Wei-Chen Sun ,  Yuan-Sheng Chiang

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： G02F1/133553 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/136277 ,  H01L51/56

摘要： A process of a micro-display is provided. First, a substrate having a pixel region and a periphery circuit region is provided, in which a metal reflection layer is formed in the pixel region, and a periphery circuit is formed in the periphery circuit region. Next, a dielectric layer is formed on the substrate to cover the pixel region and the periphery circuit region. Then, a patterned mask layer exposing the dielectric layer on the metal reflection layer is formed on the dielectric layer. Thereafter, a portion of the exposed dielectric layer is removed by using the patterned mask layer as a mask. Next, the patterned mask layer is removed. And then, a portion of the dielectric layer is removed to expose the metal reflection layer.

摘要翻译： 提供微显示器的处理。 首先，提供具有像素区域和外围电路区域的基板，其中在像素区域中形成金属反射层，并且在外围电路区域中形成外围电路。 接下来，在基板上形成介电层以覆盖像素区域和外围电路区域。 然后，在电介质层上形成露出金属反射层上的电介质层的图案化掩模层。 此后，通过使用图案化掩模层作为掩模去除暴露介电层的一部分。 接下来，去除图案化的掩模层。 然后，除去介电层的一部分以露出金属反射层。

公开(公告)号：US09117820B2

公开(公告)日：2015-08-25

申请号：US13570237

申请日：2012-08-08

申请人： Mu-Chin Chen ,  Yuan-Sheng Chiang ,  Chi-Sheng Hsiung

发明人： Mu-Chin Chen ,  Yuan-Sheng Chiang ,  Chi-Sheng Hsiung

IPC分类号： H01L23/528 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L21/76877 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A conductive line of a semiconductor device includes a conductive layer disposed on a semiconductor substrate. A thickness of the conductive layer is substantially larger than 10000 angstrom (Å), and at least a side of the conductive layer has at least two different values of curvature.

摘要翻译： 半导体器件的导线包括设置在半导体衬底上的导电层。 导电层的厚度基本上大于10000埃，并且导电层的至少一侧具有至少两个不同的曲率值。

公开(公告)号：US20070099328A1

公开(公告)日：2007-05-03

申请号：US11163812

申请日：2005-10-31

申请人： Yuan-Sheng Chiang ,  Hsuan-Hsu Chen

发明人： Yuan-Sheng Chiang ,  Hsuan-Hsu Chen

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L27/14689 ,  H01L21/76804

摘要： A semiconductor device is described, including a substrate, a transistor, a hard mask layer and an anti-reflection layer. The substrate includes a first area and a second area, wherein the second area includes a photosensing area. The transistor is disposed on the substrate in the first area and the hard mask layer over the substrate in the second area. The anti-reflection layer is disposed between the hard mask layer and the substrate.

摘要翻译： 描述了一种半导体器件，包括衬底，晶体管，硬掩模层和抗反射层。 衬底包括第一区域和第二区域，其中第二区域包括光敏区域。 晶体管设置在第一区域的基板上，第二区域中设置在基板上的硬掩模层。 防反射层设置在硬掩模层和基板之间。