公开(公告)号：US20090029068A1

公开(公告)日：2009-01-29

申请号：US12180027

申请日：2008-07-25

申请人： Takaaki KANAZAWA ,  Kenji Shimoda ,  Masaki Nanahara ,  Hodo Suzuki ,  Naoyuki Omori

发明人： Takaaki KANAZAWA ,  Kenji Shimoda ,  Masaki Nanahara ,  Hodo Suzuki ,  Naoyuki Omori

IPC分类号： H05H1/24

CPC分类号： C23C14/025 ,  C23C14/027 ,  C23C14/0605

摘要： A carbon thin film manufacturing method includes depositing an intermediate layer on a surface of a substrate, and forming a diamond-like carbon coating on a surface of the intermediate layer. In the carbon thin film manufacturing method, a bias voltage within a range of 0 V to −30 V is applied to the substrate during the deposition of the intermediate layer.

摘要翻译： 碳薄膜制造方法包括在基板的表面上沉积中间层，并在中间层的表面上形成类金刚石碳涂层。 在碳薄膜制造方法中，在中间层的沉积期间，将0V〜-30V范围内的偏置电压施加到基板。