公开(公告)号：US6008502A

公开(公告)日：1999-12-28

申请号：US945877

申请日：1997-11-03

申请人： Masahiro Deguchi ,  Akio Hiraki ,  Toshimichi Ito ,  Akimitsu Hatta ,  Nobuhiro Eimori ,  Makoto Kitabatake

发明人： Masahiro Deguchi ,  Akio Hiraki ,  Toshimichi Ito ,  Akimitsu Hatta ,  Nobuhiro Eimori ,  Makoto Kitabatake

IPC分类号： H01J1/312 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

CPC分类号： B82Y10/00 ,  H01J1/312 ,  H01J2201/30457

摘要： The present invention provides an electron emitting device for efficiently emitting electron beams by applying a forward bias to an MIS, pn, and a pin structure using a diamond layer so as to supply electrons from an electron supply layer to a p-type diamond layer. Furthermore, the present invention provides a method for easily and efficiently performing important production processes for producing a highly efficient electron emitting device having a diamond layer and controlling a surface state of the diamond layer. A multi-layer structure including an electrode layer, an electron supply layer and a diamond layer is used as the structure thereof. Alternatively, the electron affinity state of the surface of the diamond layer is arbitrarily controlled by a method such as ultraviolet ray irradiation.

摘要翻译： PCT No.PCT / JP97 / 01031 Sec。 371日期：1997年11月3日 102（e）日期1997年11月3日PCT 1997年3月26日PCT公布。 公开号WO97 / 36309 日期1997年10月2日本发明提供了一种电子发射器件，用于通过使用金刚石层向MIS，pn和引脚结构施加正向偏压来有效地发射电子束，以便将电子从电子供给层提供给p 型金刚石层。 此外，本发明提供了一种方法，用于容易且有效地执行用于制造具有金刚石层并控制金刚石层的表面状态的高效电子发射器件的重要生产方法。 使用包括电极层，电子供给层和金刚石层的多层结构作为其结构。 或者，通过紫外线照射等方法任意地控制金刚石层的表面的电子亲合性。