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    In-situ method to reduce particle contamination in a vacuum plasma processing tool
    1.
    发明申请
    In-situ method to reduce particle contamination in a vacuum plasma processing tool 有权
    减少真空等离子体处理工具中颗粒污染的现场方法

    公开(公告)号：US20070295356A1

    公开(公告)日：2007-12-27

    申请号：US11472593

    申请日：2006-06-22

    申请人： Paul Alejon Fontejon ,  Yunxiao Gao ,  Yinshi Liu ,  Ning Shi

    发明人： Paul Alejon Fontejon ,  Yunxiao Gao ,  Yinshi Liu ,  Ning Shi

    IPC分类号： B08B6/00 ,  C23F1/00

    CPC分类号： C23C14/564 ,  C23C14/021 ,  H01J37/32706 ,  H01J2237/022

    摘要： The method and apparatus of the embodiments of the present invention employ an in-situ particle decontamination technique that allows for such decontamination while a wafer is a vacuum tool or deposition chamber, thereby eliminating the need for another device for performing decontamination. This in-situ decontamination is effective for particle contamination resulting, for example, from tool resident mechanical component. Furthermore, particle decontamination is performed in the presence of plasma, having a potential for helping to maximize a “self bias” voltage, under RF conditions, and is integrated into the vacuum process.

    摘要翻译： 本发明的实施例的方法和装置采用原位颗粒去污技术，其在晶片是真空工具或沉积室的同时可以进行这种净化，从而消除了对进行去污的其它装置的需要。 这种原位去污对于例如由工具驻留的机械部件产生的颗粒污染是有效的。 此外，在等离子体的存在下进行颗粒净化，其具有在RF条件下有助于最大化“自偏压”电压的潜力，并且被集成到真空过程中。

    In-situ method to reduce particle contamination in a vacuum plasma processing tool
    2.
    发明授权
    In-situ method to reduce particle contamination in a vacuum plasma processing tool 有权
    减少真空等离子体处理工具中颗粒污染的现场方法

    公开(公告)号：US07799138B2

    公开(公告)日：2010-09-21

    申请号：US11472593

    申请日：2006-06-22

    申请人： Paul Alejon Fontejon, Jr. ,  Yunxiao Gao ,  Yinshi Liu ,  Ning Shi

    发明人： Paul Alejon Fontejon, Jr. ,  Yunxiao Gao ,  Yinshi Liu ,  Ning Shi

    IPC分类号： C25F3/30

    CPC分类号： C23C14/564 ,  C23C14/021 ,  H01J37/32706 ,  H01J2237/022

    摘要： The method and apparatus of the embodiments of the present invention employ an in-situ particle decontamination technique that allows for such decontamination while a wafer is a vacuum tool or deposition chamber, thereby eliminating the need for another device for performing decontamination. This in-situ decontamination is effective for particle contamination resulting, for example, from tool resident mechanical component. Furthermore, particle decontamination is performed in the presence of plasma, having a potential for helping to maximize a “self bias” voltage, under RF conditions, and is integrated into the vacuum process.

    摘要翻译： 本发明的实施例的方法和装置采用原位颗粒去污技术，其在晶片是真空工具或沉积室的同时可以进行这种净化，从而消除了对进行去污的其它装置的需要。 这种原位去污对于例如由工具驻留的机械部件产生的颗粒污染是有效的。 此外，在等离子体的存在下进行颗粒净化，其具有在RF条件下有助于最大化“自偏压”电压的潜力，并且被集成到真空过程中。