公开(公告)号：US20080078420A1

公开(公告)日：2008-04-03

申请号：US11618654

申请日：2006-12-29

申请人： Jing Wen ,  Shoulong Zhang ,  Yangbo Li ,  Jun Lin ,  Po-Cheng Chiu ,  Teh-Wei Ger ,  Paul Chang Lin

发明人： Jing Wen ,  Shoulong Zhang ,  Yangbo Li ,  Jun Lin ,  Po-Cheng Chiu ,  Teh-Wei Ger ,  Paul Chang Lin

IPC分类号： B08B3/12

CPC分类号： B08B3/12 ,  H01L21/02074

摘要： A method for cleaning a wafer after a Chemical Mechanical Polishing (CMP) of the wafer includes: performing an ultrasonic cleaning on the wafer for time T1; cleaning the wafer with a chemical agent and then with deionized water for n times for time T2, T3, . . . , Tn+1, respectively, n being an integer; drying the wafer for time Tn+2; wherein the maximum value among T2, T3, . . . , Tn+2 is Tmax, where in the case of T1

摘要翻译： 在晶片的化学机械抛光（CMP）之后清洁晶片的方法包括：在晶片上对时间T 1进行超声波清洗; 用化学试剂清洗晶片，然后用去离子水洗涤n次，持续时间T 2，T 3 3。 。 。 ，T n + 1，n分别为整数; 干燥晶片的时间T n + 2 +; 其中T 2，T 3，...中的最大值。 。 。 ，T n + 2 + T T T T T T T T T T T T T T T T T T T T T T T T T T T T T T T T T T T T T T T 清洁过程包括：将晶片装载在超声波清洗模块中并且保持晶片，而不用T'施加超声波功率，T'= T max max -T 1; 然后在晶片上执行超声波清洗时间T 1。 该方法在超声波清洗完成之后立即进行下一次清洁处理。 该方法可以完全去除后CMP晶圆表面上的缺陷颗粒，并将产率提高3％。