公开(公告)号：US07502155B2

公开(公告)日：2009-03-10

申请号：US11080727

申请日：2005-03-15

申请人： Paul G. Sudak ,  Robert L. Adams ,  Jason M. Neidrich ,  Simon Joshua Jacobs ,  Lisa Ann Wesneski ,  Linda M. Wills ,  William D. Carter ,  Judith C. Frederic

发明人： Paul G. Sudak ,  Robert L. Adams ,  Jason M. Neidrich ,  Simon Joshua Jacobs ,  Lisa Ann Wesneski ,  Linda M. Wills ,  William D. Carter ,  Judith C. Frederic

IPC分类号： G02F1/03 ,  G02F1/07 ,  G02F1/29 ,  G02B26/00 ,  G02B26/08

CPC分类号： G02B26/0841 ,  B81B3/0083 ,  B81B2201/042 ,  G02B5/003 ,  G02B5/22 ,  G02B27/0018

摘要： According to one embodiment of the present invention, a semiconductor device includes a first layer of dielectric material disposed upon an upper surface of a substrate of a semiconductor device and a first non-conductive layer of metal disposed upon an upper surface of the dielectric material. The first layer of dielectric material and the first non-conductive layer of metal act as an optical trap for electromagnetic radiation received by the first non-conductive layer of metal. In particular embodiments, the semiconductor device may further comprise a second layer of dielectric material disposed upon an upper surface of the first non-conductive layer of metal and a second non-conductive layer of metal disposed upon an upper surface of the second layer of dielectric material.

摘要翻译： 根据本发明的一个实施例，半导体器件包括设置在半导体器件的衬底的上表面上的第一绝缘材料层和设置在电介质材料的上表面上的金属的第一非导电层。 介电材料的第一层和金属的第一非导电层用作由第一非导电金属层接收的用于电磁辐射的光阱。 在特定实施例中，半导体器件还可以包括设置在金属的第一非导电层的上表面上的第二介电材料层和设置在第二绝缘层的上表面上的金属的第二非导电层 材料。