公开(公告)号：US07518905B2

公开(公告)日：2009-04-14

申请号：US11266776

申请日：2005-11-02

申请人： David F Bocian ,  Werner G Kuhr ,  Jonathan Lindsey ,  Peter Christian Clausen ,  Daniel Tomasz Gryko

发明人： David F Bocian ,  Werner G Kuhr ,  Jonathan Lindsey ,  Peter Christian Clausen ,  Daniel Tomasz Gryko

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： H01L51/0078 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C07D487/22 ,  C07D519/00 ,  C07F17/02 ,  G11B9/14 ,  G11B9/149 ,  G11C11/5664 ,  G11C13/0009 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0016 ,  G11C13/0069 ,  G11C13/025 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/28 ,  H01L51/0077 ,  H01L51/0084 ,  H01L51/009 ,  H01L51/0595

摘要： This invention provides novel high density memory devices that are electrically addressable permitting effective reading and writing, that provide a high memory density (e.g., 1015 bits/cm3), that provide a high degree of fault tolerance, and that are amenable to efficient chemical synthesis and chip fabrication. The devices are intrinsically latchable, defect tolerant, and support destructive or non-destructive read cycles. In a preferred embodiment, the device comprises a fixed electrode electrically coupled to a storage medium having a multiplicity of different and distinguishable oxidation states wherein data is stored in said oxidation states by the addition or withdrawal of one or more electrons from said storage medium via the electrically coupled electrode.

摘要翻译： 本发明提供了新颖的高密度存储器件，其可电寻址以允许有效读取和写入，其提供高存储密度（例如，1015比特/ cm 3），其提供高度的容错性，并且适于有效的化学合成 和芯片制造。 器件本质上可锁定，缺陷容忍，并支持破坏性或非破坏性的读取周期。 在优选实施例中，该装置包括电耦合到存储介质的固定电极，该存储介质具有多种不同且可区分的氧化态，其中通过经由该存储介质从所述存储介质中添加或撤出一个或多个电子而将数据存储在所述氧化态中 电耦合电极。

公开(公告)号：US07042755B1

公开(公告)日：2006-05-09

申请号：US10019377

申请日：2000-06-28

申请人： David F. Bocian ,  Werner G. Kuhr ,  Jonathan Lindsey ,  Peter Christian Clausen ,  Daniel Tomasz Gryko

发明人： David F. Bocian ,  Werner G. Kuhr ,  Jonathan Lindsey ,  Peter Christian Clausen ,  Daniel Tomasz Gryko

IPC分类号： G11C7/00

CPC分类号： H01L51/0078 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C07D487/22 ,  C07D519/00 ,  C07F17/02 ,  G11B9/14 ,  G11B9/149 ,  G11C11/5664 ,  G11C13/0009 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0016 ,  G11C13/0069 ,  G11C13/025 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/28 ,  H01L51/0077 ,  H01L51/0084 ,  H01L51/009 ,  H01L51/0595

摘要： This invention provides novel high density memory devices (FIG. 3) that are electrically addressable permitting effective reading and writing, that provide a high memory density (102), that provide a high degree of fault tolerance, and that are amenable to efficient chemical synthesis and chip fabrication. The devices arc intrinsically latchable, defect tolerant, and support destructive or non-destructive read cycles. In a preferred embodiment, the device comprises a fixed electrode electrically coupled to a storage medium having a multiplicity of different and distinguishable oxidation states wherein data is stored in said oxidation states by the addition or withdrawal of one or more electrons from said storage medium via the electrically coupled electrode.

摘要翻译： 本发明提供了新颖的高密度存储器件（图3），它们是可电寻址的，允许有效读取和写入，提供高存储密度（102），其提供高度的容错性，并且适于有效的化学合成 和芯片制造。 器件本身可锁定，缺陷容错，并支持破坏性或非破坏性的读取周期。 在优选实施例中，该装置包括电耦合到存储介质的固定电极，该存储介质具有多种不同且可区分的氧化态，其中通过经由该存储介质从所述存储介质中添加或撤出一个或多个电子而将数据存储在所述氧化态中 电耦合电极。

公开(公告)号：US06208553B1

公开(公告)日：2001-03-27

申请号：US09346221

申请日：1999-07-01

申请人： Daniel Tomasz Gryko ,  Peter Christian Clausen ,  Kristian M. Roth ,  David F. Bocian ,  Werner G. Kuhr ,  Jonathan S. Lindsey

发明人： Daniel Tomasz Gryko ,  Peter Christian Clausen ,  Kristian M. Roth ,  David F. Bocian ,  Werner G. Kuhr ,  Jonathan S. Lindsey

IPC分类号： G11C1100

CPC分类号： G11C11/5664 ,  B82Y10/00 ,  C07D487/22 ,  C07D519/00 ,  C07F17/02 ,  G11B9/14 ,  G11B9/149 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0016 ,  G11C13/025 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/285 ,  H01L51/0077 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/0084 ,  H01L51/0595

摘要： This invention provides novel high density memory devices that are electrically addressable permitting effective reading and writing, that provide a high memory density (e.g., 1015 bits/cm3), that provide a high degree of fault tolerance, and that are amenable to efficient chemical synthesis and chip fabrication. The devices are intrinsically latchable, defect tolerant, and support destructive or non-destructive read cycles. In a preferred embodiment, the device comprises a fixed electrode electrically coupled to a storage medium comprising one or more thiol-derivatized porphyrins. The storage medium has a multiplicity of different and distinguishable oxidation states and data is stored in said oxidation states by the addition or withdrawal of one or more electrons from the storage medium via the electrically coupled electrode(s).

摘要翻译： 本发明提供了新颖的高密度存储器件，其可电寻址以允许有效读取和写入，其提供高存储密度（例如，1015比特/ cm 3），其提供高度的容错性，并且适于有效的化学合成 和芯片制造。 器件本质上可锁定，缺陷容忍，并支持破坏性或非破坏性的读取周期。 在优选的实施方案中，该装置包括电耦合到包含一种或多种硫醇衍生的卟啉的存储介质的固定电极。 存储介质具有多种不同且可区分的氧化态，并且通过经由电耦合的电极从存储介质中添加或取出一个或多个电子，将数据存储在所述氧化态中。

公开(公告)号：US06324091B1

公开(公告)日：2001-11-27

申请号：US09484394

申请日：2000-01-14

申请人： Daniel Tomasz Gryko ,  Peter Christian Clausen ,  David F. Bocian ,  Werner G. Kuhr ,  Jonathan S. Lindsey

发明人： Daniel Tomasz Gryko ,  Peter Christian Clausen ,  David F. Bocian ,  Werner G. Kuhr ,  Jonathan S. Lindsey

IPC分类号： G11C700

CPC分类号： H01L51/0078 ,  B82Y10/00 ,  C07D487/22 ,  C07D519/00 ,  C07F17/02 ,  G11B9/14 ,  G11B9/149 ,  G11C13/0009 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0016 ,  G11C2213/15 ,  H01L27/28 ,  H01L51/0077 ,  H01L51/0084 ,  H01L51/0595

摘要： This invention provides novel high density memory devices that are electrically addressable permitting effective reading and writing, that provide a high memory density (e.g., 1015 bits/cm3), that provide a high degree of fault tolerance, and that are amenable to efficient chemical synthesis and chip fabrication. The devices are intrinsically latchable, defect tolerant, and support destructive or non-destructive read cycles. In a preferred embodiment, the device comprises a fixed electrode electrically coupled to a storage medium comprising a storage molecule comprising a first subunit and a second subunit wherein the first and second subunits are tightly coupled such that oxidation of the first subunit alters the oxidation potential(s) of the second subunit rendering the oxidation potential(s) of the second unit different and distinguishable from the oxidation potentials of the first subunit.

摘要翻译： 本发明提供了新颖的高密度存储器件，其可电寻址以允许有效读取和写入，其提供高存储密度（例如，1015比特/ cm 3），其提供高度的容错性，并且适于有效的化学合成 和芯片制造。 器件本质上可锁定，缺陷容忍，并支持破坏性或非破坏性的读取周期。 在优选实施例中，该装置包括电耦合到存储介质的固定电极，该存储介质包括包含第一亚基和第二亚基的存储分子，其中第一和第二亚基紧密耦合，使得第一亚基的氧化改变氧化电位（ s），使得第二单元的氧化电位不同，并与第一亚单位的氧化电位区分开。