公开(公告)号：US07666764B2

公开(公告)日：2010-02-23

申请号：US11489469

申请日：2006-07-20

申请人： Jia-Chong Ho ,  Jen-Hao Lee ,  Cheng-Chung Lee ,  Yu-Wu Wang ,  Chun-Tao Lee ,  Pzng Lin

发明人： Jia-Chong Ho ,  Jen-Hao Lee ,  Cheng-Chung Lee ,  Yu-Wu Wang ,  Chun-Tao Lee ,  Pzng Lin

IPC分类号： H01L21/208 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/66969

摘要： A compound semiconductor material for forming an active layer of a thin film transistor device is disclosed, which has a group II-VI compound doped with a dopant ranging from 0.1 to 30 mol %, wherein the dopant is selected from a group consisting of alkaline-earth metals, group IIIA elements, group IVA elements, group VA elements, group VIA elements, and transitional metals. The method for forming an active layer of a thin film transistor device by using the compound semiconductor material of the present invention is disclosed therewith.

摘要翻译： 公开了一种用于形成薄膜晶体管器件的有源层的化合物半导体材料，其具有掺杂范围为0.1至30mol％的掺杂剂的II-VI族化合物，其中掺杂剂选自碱金属 - 地球金属，IIIA族元素，IVA族元素，VA族元素，VIA族元素和过渡金属。 公开了通过使用本发明的化合物半导体材料形成薄膜晶体管器件的有源层的方法。