公开(公告)号：US06187216B1

公开(公告)日：2001-02-13

申请号：US08917982

申请日：1997-08-27

申请人： Paul William Dryer ,  Michael J. Davison ,  Ralph A. Dyrsten

发明人： Paul William Dryer ,  Michael J. Davison ,  Ralph A. Dyrsten

IPC分类号： C03C1502

CPC分类号： H01L21/67086 ,  H01L21/31111

摘要： A wet etch bath (61) holds a wet etchant (52) for etching a dielectric over a semiconductor substrate. The wet etch bath (61) has a tub (63) separated from a reservoir (64) by a wall (65). The tub (63) is filled with the wet etchant (52) to a height of the wall (65). The reservoir (64) is filled with the wet etchant (52) to a height less than the height of the wall. A pump (66) coupled to the reservoir (64) pumps the wet etchant (52) through an osmotic membrane degasifier (69) to the tub (63). Adding the wet etchant (52) to the tub (63) causes the wet etchant (52) to cascade over the wall (65) back to the reservoir (64). The osmotic membrane degasifier (69) reduces a concentration of a reactive agent in the wet etchant (52).

摘要翻译： 湿蚀刻浴（61）保持用于蚀刻半导体衬底上的电介质的湿蚀刻剂（52）。 湿蚀刻槽（61）具有通过壁（65）从储存器（64）分离的桶（63）。 浴盆（63）用湿蚀刻剂（52）填充到壁（65）的高度。 储存器（64）用湿蚀刻剂（52）填充到小于壁的高度的高度。 耦合到储存器（64）的泵（66）将湿蚀刻剂（52）通过渗透膜脱气器（69）泵送到桶（63）。 将湿蚀刻剂（52）添加到桶（63）中使得湿蚀刻剂（52）在壁（65）上级联回到储存器（64）。 渗透膜脱气器（69）降低湿蚀刻剂（52）中的反应剂的浓度。