公开(公告)号：US07638004B1

公开(公告)日：2009-12-29

申请号：US11445487

申请日：2006-05-31

申请人： Hong Shih ,  Harmeet Singh ,  Raphael Casaes ,  Duane Outka ,  Mohammad Kamarehi

发明人： Hong Shih ,  Harmeet Singh ,  Raphael Casaes ,  Duane Outka ,  Mohammad Kamarehi

IPC分类号： B08B3/04

CPC分类号： B08B3/08 ,  C11D3/3947 ,  C11D7/06 ,  C11D11/0041 ,  C11D11/0064 ,  G03F7/423 ,  G03F7/425 ,  G03F7/426

摘要： A method of cleaning a microwave plasma applicator tube as described herein includes preparing a microwave plasma applicator for cleaning. A general cleaning of the plasma applicator tube is performed using an organic solvent wash and an ultrapure water wash. Selective cleanings of the tube are performed to remove selected contaminants. Such cleanings include a third wash with an alkaline cleaning solution, a fourth wash with an acidic cleaning solution and another wash using an ammonia and peroxide solution. The tube is rinsed using a sonicating wash performed in ultrapure water followed by drying. Also, the coil can be cleaned using acidic wash solution.

摘要翻译： 如本文所述的清洁微波等离子体施加管的方法包括制备用于清洁的微波等离子体施加器。 使用有机溶剂洗涤和超纯水洗涤进行等离子体施加管的一般清洁。 执行管的选择性清洁以去除所选择的污染物。 这种清洁包括用碱性清洁溶液进行第三次洗涤，用酸性清洗溶液进行第四次洗涤，再用氨和过氧化物溶液进行洗涤。 使用在超纯水中进行的超声清洗冲洗管，然后干燥。 此外，线圈可以使用酸性洗涤溶液进行清洁。

公开(公告)号：US08525139B2

公开(公告)日：2013-09-03

申请号：US12908258

申请日：2010-10-20

申请人： Harmeet Singh ,  Sanket Sant ,  Shang-I Chou ,  Vahid Vahedi ,  Raphael Casaes ,  Seetharaman Ramachandran

发明人： Harmeet Singh ,  Sanket Sant ,  Shang-I Chou ,  Vahid Vahedi ,  Raphael Casaes ,  Seetharaman Ramachandran

IPC分类号： A61N5/06 ,  C23F1/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/26

CPC分类号： H01L21/02057 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67207

摘要： A wafer is provided into an entrance load lock chamber. A vacuum is created in the entrance load lock chamber. The wafer is transported to a processing tool. The wafer is processed in a process chamber to provide a processed wafer, wherein the processing forms halogen residue. A degas step is provided in the process chamber after processing the wafer. The processed wafer is transferred into a degas chamber. The processed wafer is treated in the degas chamber with UV light and a flow of gas comprising at least one of ozone, oxygen, or H2O. The flow of gas is stopped. The UV light is stopped. The processed wafer is removed from the degas chamber.

摘要翻译： 将晶片设置在入口加载锁定室中。 在入口装载锁定室中产生真空。 晶片被输送到处理工具。 在处理室中处理晶片以提供经处理的晶片，其中处理形成卤素残基。 在处理晶片之后，在处理室中提供脱气步骤。 将经处理的晶片转移到脱气室中。 处理的晶片在脱气室中用UV光和包含臭氧，氧气或H 2 O中的至少一种的气体流进行处理。 停止气体流动。 UV灯停止。 将经处理的晶片从脱气室中取出。

公开(公告)号：US08216388B2

公开(公告)日：2012-07-10

申请号：US13151383

申请日：2011-06-02

申请人： Hong Shih ,  Qian Fu ,  Tuochuan Huang ,  Raphael Casaes ,  Duane Outka

发明人： Hong Shih ,  Qian Fu ,  Tuochuan Huang ,  Raphael Casaes ,  Duane Outka

IPC分类号： B08B17/04 ,  B08B3/08 ,  B05D3/06

CPC分类号： C23C16/4404

摘要： A method of extending storage time prior to cleaning a component of a plasma chamber is provided. The method comprises removing the component from the chamber, covering a thermal spray coating on the component while the surface is exposed to atmospheric air, storing the component, optionally removing the covering, and optionally wet cleaning reaction by-products from the thermal spray coating. Alternatively, instead of, or in addition to covering a thermal spray coating on the component, the component can be placed into a desiccator or dry-box.

摘要翻译： 提供了在清洁等离子体室的部件之前延长存储时间的方法。 该方法包括从室中去除组分，在表面暴露于大气中时覆盖组件上的热喷涂层，储存组分，任选地除去覆盖物，以及任选地从热喷涂涂层湿化清洗反应副产物。 或者，代替或除了覆盖组件上的热喷涂之外，组件可以放置在干燥器或干燥箱中。

公开(公告)号：US20110097902A1

公开(公告)日：2011-04-28

申请号：US12908258

申请日：2010-10-20

申请人： Harmeet Singh ,  Sanket Sant ,  Shang-I Chou ,  Vahid Vahedi ,  Raphael Casaes ,  Seetharaman Ramachandran

发明人： Harmeet Singh ,  Sanket Sant ,  Shang-I Chou ,  Vahid Vahedi ,  Raphael Casaes ,  Seetharaman Ramachandran

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/26

CPC分类号： H01L21/02057 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67207

摘要： A wafer is provided into an entrance load lock chamber. A vacuum is created in the entrance load lock chamber. The wafer is transported to a processing tool. The wafer is processed in a process chamber to provide a processed wafer, wherein the processing forms halogen residue. A degas step is provided in the process chamber after processing the wafer. The processed wafer is transferred into a degas chamber. The processed wafer is treated in the degas chamber with UV light and a flow of gas comprising at least one of ozone, oxygen, or H2O. The flow of gas is stopped. The UV light is stopped. The processed wafer is removed from the degas chamber.

摘要翻译： 将晶片设置在入口加载锁定室中。 在入口装载锁定室中产生真空。 晶片被输送到处理工具。 在处理室中处理晶片以提供经处理的晶片，其中处理形成卤素残基。 在处理晶片之后，在处理室中提供脱气步骤。 将经处理的晶片转移到脱气室中。 处理的晶片在脱气室中用UV光和包含臭氧，氧气或H 2 O中的至少一种的气体流进行处理。 停止气体流动。 UV灯停止。 将经处理的晶片从脱气室中取出。

公开(公告)号：US20110232678A1

公开(公告)日：2011-09-29

申请号：US13151383

申请日：2011-06-02

申请人： Hong Shih ,  Qian Fu ,  Tuochuan Huang ,  Raphael Casaes ,  Duane Outka

发明人： Hong Shih ,  Qian Fu ,  Tuochuan Huang ,  Raphael Casaes ,  Duane Outka

IPC分类号： B08B7/00

CPC分类号： C23C16/4404

摘要： A method of extending storage time prior to cleaning a component of a plasma chamber is provided. The method comprises removing the component from the chamber, covering a thermal spray coating on the component while the surface is exposed to atmospheric air, storing the component, optionally removing the covering, and optionally wet cleaning reaction by-products from the thermal spray coating. Alternatively, instead of, or in addition to covering a thermal spray coating on the component, the component can be placed into a desiccator or dry-box.

摘要翻译： 提供了在清洁等离子体室的部件之前延长存储时间的方法。 该方法包括从室中去除组分，在表面暴露于大气中时覆盖组件上的热喷涂层，储存组分，任选地除去覆盖物，以及任选地从热喷涂涂层湿化清洗反应副产物。 或者，代替或除了覆盖组件上的热喷涂之外，组件可以放置在干燥器或干燥箱中。

公开(公告)号：US07976641B1

公开(公告)日：2011-07-12

申请号：US11239396

申请日：2005-09-30

申请人： Hong Shih ,  Qian Fu ,  Tuochuan Huang ,  Raphael Casaes ,  Duane Outka

发明人： Hong Shih ,  Qian Fu ,  Tuochuan Huang ,  Raphael Casaes ,  Duane Outka

IPC分类号： B08B17/04 ,  B08B3/04 ,  B08B3/08

CPC分类号： C23C16/4404

摘要： A method of extending storage time prior to cleaning a component of a plasma chamber is provided. The method comprises removing the component from the chamber, covering a thermal spray coating on the component while the surface is exposed to atmospheric air, storing the component, optionally removing the covering, and optionally wet cleaning reaction by-products from the thermal spray coating. Alternatively, instead of, or in addition to covering a thermal spray coating on the component, the component can be placed into a desiccator or dry-box.

摘要翻译： 提供了在清洁等离子体室的部件之前延长存储时间的方法。 该方法包括从室中去除组分，在表面暴露于大气中时覆盖组件上的热喷涂层，储存组分，任选地除去覆盖物，以及任选地从热喷涂涂层湿化清洗反应副产物。 或者，代替或除了覆盖组件上的热喷涂之外，组件可以放置在干燥器或干燥箱中。