公开(公告)号：US20060145148A1

公开(公告)日：2006-07-06

申请号：US11319286

申请日：2005-12-28

申请人： Katsura Hirai ,  Tatsuo Tanaka ,  Chiyoko Takemura ,  Rie Katakura ,  Reiko Sugisaki

发明人： Katsura Hirai ,  Tatsuo Tanaka ,  Chiyoko Takemura ,  Rie Katakura ,  Reiko Sugisaki

IPC分类号： H01L51/00 ,  H01L51/40

CPC分类号： H01L51/0015

摘要： A method for forming an organic semiconductor layer especially for an organic thin film transistor in which a part of the organic semiconductive material thin film formed on a substrate is subjected to a pretreatment and then further subjected to a heating treatment.

摘要翻译： 一种用于形成有机半导体层的方法，其特征在于有机薄膜晶体管，其中形成在基板上的部分有机半导体材料薄膜经受预处理，然后进一步进行加热处理。