公开(公告)号：US20060208282A1

公开(公告)日：2006-09-21

申请号：US11434303

申请日：2006-05-15

申请人： Luan Tran ,  D. Duncan ,  Tyler Lowrey ,  Rob Kerr ,  Kris Brown

发明人： Luan Tran ,  D. Duncan ,  Tyler Lowrey ,  Rob Kerr ,  Kris Brown

IPC分类号： H01L27/10 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L27/10852 ,  H01L27/10808 ,  H01L27/10885

摘要： A memory device includes memory cells, bit lines, active areas, and transistors formed in each active area and electrically coupling memory cells to corresponding bit lines. The memory cells can have an area of about 6F2, and the bit lines can be coupled to sense amplifiers in a folded bit line configuration. Each bit line may include a first level portion and a second level portion.

摘要翻译： 存储器件包括存储器单元，位线，有源区和形成在每个有效区中的晶体管，并将存储单元电耦合到相应的位线。 存储器单元可以具有约6F 2的面积，并且位线可以以折叠位线配置耦合到读出放大器。 每个位线可以包括第一电平部分和第二电平部分。