公开(公告)号：US20120146006A1

公开(公告)日：2012-06-14

申请号：US13321762

申请日：2010-05-05

申请人： David Hartmann ,  Sabine Herder ,  Anna Maltenberger ,  Wiebke Sarfert ,  Günter Schmid ,  Riikka Suhonen

发明人： David Hartmann ,  Sabine Herder ,  Anna Maltenberger ,  Wiebke Sarfert ,  Günter Schmid ,  Riikka Suhonen

IPC分类号： H01L51/30 ,  H01L51/40 ,  H01B1/22 ,  H01L51/46 ,  H01L51/54

CPC分类号： H01L51/002 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0026 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/004 ,  H01L51/5052

摘要： A material for a hole transport layer has a p-dopant. The dopant forms with the hole transport material a charge transfer complex. A metal component in solution is processed with the hole transport matrix material in solution to form the hole transport layer.

摘要翻译： 用于空穴传输层的材料具有p-掺杂剂。 掺杂剂与空穴传输材料形成电荷转移络合物。 用溶液中的空穴传输基质材料处理溶液中的金属组分以形成空穴传输层。