公开(公告)号：US20150170992A1

公开(公告)日：2015-06-18

申请号：US14565525

申请日：2014-12-10

申请人： Jun-Hyeok Yang ,  Se-Ki Kim ,  Se-Ra An ,  Hyung-Jong Ko

发明人： Jun-Hyeok Yang ,  Se-Ki Kim ,  Se-Ra An ,  Hyung-Jong Ko

IPC分类号： H01L23/38 ,  H01L27/16 ,  H01L25/18 ,  H01L23/34

CPC分类号： H01L23/38 ,  H01L27/16 ,  H01L35/00 ,  H01L35/02 ,  H01L35/28 ,  H01L35/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor chip includes a semiconductor circuit layer and a semiconductor thermoelectric layer disposed on a substrate. The circuit layer includes a first circuit and a second circuit disposed horizontally in a first direction. The thermoelectric layer includes a first on-die thermoelectric element, where the thermoelectric layer is disposed on the circuit layer including the first circuit and the second circuit. The first on-die thermoelectric element is configured to distribute heat generated at the first circuit horizontally in the first direction toward the second circuit.

摘要翻译： 半导体芯片包括设置在基板上的半导体电路层和半导体热电层。 电路层包括沿第一方向水平设置的第一电路和第二电路。 热电层包括第一片上热电元件，其中热电层设置在包括第一电路和第二电路的电路层上。 第一片上热电元件被配置为在第一方向上向第二电路分配在第一电路处产生的热量。

公开(公告)号：US20160027986A1

公开(公告)日：2016-01-28

申请号：US14740466

申请日：2015-06-16

申请人： KWANG-HO KIM ,  Jun-Hyeok YANG ,  Hyung-Jong KO ,  Se-Ki KIM ,  Ho-Jin PARK ,  Se-Ra AN

发明人： KWANG-HO KIM ,  Jun-Hyeok YANG ,  Hyung-Jong KO ,  Se-Ki KIM ,  Ho-Jin PARK ,  Se-Ra AN

IPC分类号： H01L35/32

CPC分类号： H01L35/32 ,  H01L25/18 ,  H01L27/16 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S257/93

摘要： A thermoelectric element is provided as follows. First and second semiconductor fin structures are disposed on a semiconductor substrate. Each semiconductor fin structure extends in a first direction, protruding from the semiconductor substrate. First and second semiconductor nanowires are disposed on the first and second semiconductor fin structures, respectively. The first semiconductor nanowires include first impurities. The second semiconductor nanowires include second impurities different from the first impurities. A first electrode is connected to first ends of the first and second semiconductor nanowires. A second electrode is connected to second ends of the first semiconductor nanowires. A third electrode is connected to second ends of the second semiconductor nanowires.

摘要翻译： 如下提供热电元件。 第一和第二半导体鳍片结构设置在半导体衬底上。 每个半导体鳍结构在从半导体衬底突出的第一方向上延伸。 第一和第二半导体纳米线分别设置在第一和第二半导体鳍片结构上。 第一半导体纳米线包括第一杂质。 第二半导体纳米线包括与第一杂质不同的第二杂质。 第一电极连接到第一和第二半导体纳米线的第一端。 第二电极连接到第一半导体纳米线的第二端。 第三电极连接到第二半导体纳米线的第二端。