公开(公告)号：US20140097538A1

公开(公告)日：2014-04-10

申请号：US13648433

申请日：2012-10-10

申请人： Larry Zhao ,  Ming He ,  Xunyuan Zhang ,  Sean Xuan Lin

发明人： Larry Zhao ,  Ming He ,  Xunyuan Zhang ,  Sean Xuan Lin

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L23/5226 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76855 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An approach for forming a semiconductor device is provided. In general, the device is formed by providing a metal layer, a cap layer over the metal layer, and an ultra low k layer over the cap layer. A via is then formed through the ultra low k layer and the cap layer. Once the via is formed, a barrier layer (e.g., cobalt (Co), tantalum (Ta), cobalt-tungsten-phosphide (CoWP), or other metal capable of acting as a copper (CU) diffusion barrier) is selectively applied to a bottom surface of the via. A liner layer (e.g., manganese (MN) or aluminum (AL)) is then applied to a set of sidewalls of the via. The via may then be filled with a subsequent metal layer (with or without a seed layer), and the device may the then be further processed (e.g., annealed).

摘要翻译： 提供了一种用于形成半导体器件的方法。 通常，通过在金属层上设置金属层，覆盖层和覆盖层上的超低k层来形成器件。 然后通过超低k层和盖层形成通孔。 一旦形成通孔，就可以选择性地将阻挡层（例如，钴（Co），钽（Ta），钴 - 钨 - 磷化物（CoWP）或能够充当铜（CU）扩散阻挡层的其它金属） 通孔的底面。 然后将衬垫层（例如锰（MN）或铝（AL））施加到通孔的一组侧壁。 然后可以用随后的金属层（具有或不具有种子层）填充通孔，然后可以进一步处理（例如，退火）该器件。