公开(公告)号：US20110318714A1

公开(公告)日：2011-12-29

申请号：US13148928

申请日：2009-02-10

申请人： Hiroki Nikawa ,  Seichiyou Makihira ,  Yuichi Mine ,  Yoshinori Abe ,  Tatsuyuki Nakatani ,  Keishi Okamoto ,  Yuki Nitta

发明人： Hiroki Nikawa ,  Seichiyou Makihira ,  Yuichi Mine ,  Yoshinori Abe ,  Tatsuyuki Nakatani ,  Keishi Okamoto ,  Yuki Nitta

IPC分类号： A61C5/08 ,  C23C14/34 ,  A61C5/00 ,  C04B35/565 ,  B32B15/04

CPC分类号： A61L27/025 ,  A61K6/027 ,  A61L27/303 ,  A61L27/306 ,  A61L2420/04 ,  C23C16/30 ,  Y10T428/31678

摘要： An implant material includes a base material, and a silicon-containing carbon thin film formed on a surface of the base material. The carbon thin film contains a C—C component in which carbon atoms are bonded, and a SiC component in which carbon and silicon atoms are bonded, and a ratio of the SiC component is 0.06 or higher.

摘要翻译： 植入材料包括基材和形成在基材表面上的含硅碳薄膜。 碳薄膜含有碳原子键合的C-C成分和碳和硅原子键合的SiC成分，SiC成分的比例为0.06以上。