公开(公告)号：US08227179B2

公开(公告)日：2012-07-24

申请号：US12238306

申请日：2008-09-25

申请人： Seunghun Hong ,  Sung Young Park ,  Seon Namgung

发明人： Seunghun Hong ,  Sung Young Park ,  Seon Namgung

IPC分类号： G03F7/00

CPC分类号： B82B3/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/773

摘要： Techniques for manufacturing cross-structures of nanostructures, such as nanowires and carbon nanotubes are provided. In one embodiment, a method for manufacturing cross-structures of nanostructures include providing a substrate, patterning a first mask layer on the substrate, adsorbing first nanostructures onto surface regions of the substrate where the first mask layer does not exist, removing the first mask layer from the substrate, patterning a second mask layer on the substrate to which the first nanostructures are adsorbed, and adsorbing second nanostructures onto the surface regions of the substrate where the second mask layer does not exist, under conditions effective to manufacture cross-structures of nanostructures on the substrate.

摘要翻译： 提供了用于制造纳米结构的交叉结构的技术，例如纳米线和碳纳米管。 在一个实施例中，一种用于制造纳米结构的交叉结构的方法包括：提供衬底，在衬底上图案化第一掩模层，将第一纳米结构吸附到不存在第一掩模层的衬底的表面区域上，去除第一掩模层 在衬底上形成第二掩模层，在其上吸附有第一纳米结构的衬底上，在有效制造纳米结构的交叉结构的条件下，将第二纳米结构吸附到不存在第二掩模层的衬底的表面区域上 在基板上。

公开(公告)号：US20100028814A1

公开(公告)日：2010-02-04

申请号：US12238306

申请日：2008-09-25

申请人： Seunghun Hong ,  Sung Young Park ,  Seon Namgung

发明人： Seunghun Hong ,  Sung Young Park ,  Seon Namgung

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03B27/42

CPC分类号： B82B3/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/773

摘要： Techniques for manufacturing cross-structures of nanostructures, such as nanowires and carbon nanotubes are provided. In one embodiment, a method for manufacturing cross-structures of nanostructures include providing a substrate, patterning a first mask layer on the substrate, adsorbing first nanostructures onto surface regions of the substrate where the first mask layer does not exist, removing the first mask layer from the substrate, patterning a second mask layer on the substrate to which the first nanostructures are adsorbed, and adsorbing second nanostructures onto the surface regions of the substrate where the second mask layer does not exist, under conditions effective to manufacture cross-structures of nanostructures on the substrate.

摘要翻译： 提供了用于制造纳米结构的交叉结构的技术，例如纳米线和碳纳米管。 在一个实施例中，一种用于制造纳米结构的交叉结构的方法包括：提供衬底，在衬底上图案化第一掩模层，将第一纳米结构吸附到不存在第一掩模层的衬底的表面区域上，去除第一掩模层 在衬底上形成第二掩模层，在其上吸附有第一纳米结构的衬底上，在有效制造纳米结构的交叉结构的条件下，将第二纳米结构吸附到不存在第二掩模层的衬底的表面区域上 在基板上。