公开(公告)号：US08580696B2

公开(公告)日：2013-11-12

申请号：US11829581

申请日：2007-07-27

申请人： Kiyoshi Mori ,  Shu Ikeda ,  Gabriel Gebara

发明人： Kiyoshi Mori ,  Shu Ikeda ,  Gabriel Gebara

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/67253

摘要： Systems and methods for detecting watermark formations on semiconductor wafers are described. In one embodiment, a method comprises providing a semiconductor wafer having at least one watermark sensitive region fabricated thereon, subjecting the wafer to a wet processing step, enhancing a susceptibility to detection of at least one watermark formation created on the at least one watermark sensitive region, and detecting the at least one watermark formation. In another embodiment, a method comprises growing a first oxide layer on a surface of a semiconductor wafer, patterning a watermark sensitive structure on the first oxide layer, depositing a silicon layer over the first oxide layer, doping a region of the silicon layer over the watermark sensitive structure with an impurity to create a watermark sensitive region that is prone to retaining watermark formations as result of a wet processing step, and growing a second oxide layer over the silicon layer.

摘要翻译： 描述了用于检测半导体晶片上的水印结构的系统和方法。 在一个实施例中，一种方法包括提供具有在其上制造的至少一个水印敏感区域的半导体晶片，对晶片进行湿处理步骤，增强对至少一个水印敏感区域上产生的至少一个水印形成的检测的敏感性 并且检测所述至少一个水印形成。 在另一个实施例中，一种方法包括在半导体晶片的表面上生长第一氧化物层，在第一氧化物层上构图水印敏感结构，在第一氧化物层上沉积硅层，将硅层的区域掺杂在 具有杂质的水印敏感结构，以产生湿式处理步骤结果易于保留水印结构的水印敏感区域，并在硅层上生长第二氧化物层。

公开(公告)号：US20070052133A1

公开(公告)日：2007-03-08

申请号：US11220898

申请日：2005-09-07

申请人： Michael Gostkowski ,  Shu Ikeda ,  Jeff Wetzel

发明人： Michael Gostkowski ,  Shu Ikeda ,  Jeff Wetzel

IPC分类号： B29C35/08 ,  B29C69/00

CPC分类号： H01L21/0337 ,  H01L21/0338

摘要： Methods for fabricating sub-resolution line space patterns are disclosed. In one embodiment, a method includes steps for fabricating a half-pitch pattern having equal line to space dimension. In other embodiments, method includes steps for fabricating a quarter-pitch pattern having equal line to space dimension. The disclosure also provides steps for fabricating small trench structures with spacers

摘要翻译： 公开了用于制造次分辨率线空间图案的方法。 在一个实施例中，一种方法包括用于制造具有与空间尺寸相等的半间距图案的步骤。 在其它实施例中，方法包括用于制造具有相等于空间尺寸的四分之一间距图案的步骤。 本公开还提供了用间隔物制造小沟槽结构的步骤

公开(公告)号：US20090028422A1

公开(公告)日：2009-01-29

申请号：US11829581

申请日：2007-07-27

申请人： Kiyoshi Mori ,  Shu Ikeda ,  Gabriel Gebara

发明人： Kiyoshi Mori ,  Shu Ikeda ,  Gabriel Gebara

IPC分类号： G06K9/00

CPC分类号： H01L21/67253

摘要： Systems and methods for detecting watermark formations on semiconductor wafers are described. In one embodiment, a method comprises providing a semiconductor wafer having at least one watermark sensitive region fabricated thereon, subjecting the wafer to a wet processing step, enhancing a susceptibility to detection of at least one watermark formation created on the at least one watermark sensitive region, and detecting the at least one watermark formation. In another embodiment, a method comprises growing a first oxide layer on a surface of a semiconductor wafer, patterning a watermark sensitive structure on the first oxide layer, depositing a silicon layer over the first oxide layer, doping a region of the silicon layer over the watermark sensitive structure with an impurity to create a watermark sensitive region that is prone to retaining watermark formations as result of a wet processing step, and growing a second oxide layer over the silicon layer.

摘要翻译： 描述了用于检测半导体晶片上的水印结构的系统和方法。 在一个实施例中，一种方法包括提供具有在其上制造的至少一个水印敏感区域的半导体晶片，对晶片进行湿处理步骤，增强对至少一个水印敏感区域上产生的至少一个水印形成的检测的敏感性 并且检测所述至少一个水印形成。 在另一个实施例中，一种方法包括在半导体晶片的表面上生长第一氧化物层，在第一氧化物层上构图水印敏感结构，在第一氧化物层上沉积硅层，将硅层的区域掺杂在 具有杂质的水印敏感结构，以产生湿式处理步骤结果易于保留水印结构的水印敏感区域，并在硅层上生长第二氧化物层。