公开(公告)号：US07404913B2

公开(公告)日：2008-07-29

申请号：US11382883

申请日：2006-05-11

申请人： Stephen Edward Derenzo ,  Edith Bourret-Courchesne ,  Marvin J. Weber ,  Mattias K. Klintenberg

发明人： Stephen Edward Derenzo ,  Edith Bourret-Courchesne ,  Marvin J. Weber ,  Mattias K. Klintenberg

IPC分类号： C09K11/56 ,  C09K11/54

CPC分类号： C09K11/565

摘要： Fast, bright inorganic scintillators at room temperature are based on radiative electron-hole recombination in direct-gap semiconductors, e.g. CdS and ZnO. The direct-gap semiconductor is codoped with two different impurity atoms to convert the semiconductor to a fast, high luminosity scintillator. The codopant scheme is based on dopant band to dopant trap recombination. One dopant provides a significant concentration of carriers of one type (electrons or holes) and the other dopant traps carriers of the other type. Examples include CdS:In,Te; CdS:In,Ag; CdS:In,Na; ZnO:Ga,P; ZnO:Ga,N; ZnO:Ga,S; and GaN:Ge,Mg.

摘要翻译： 在室温下快速，明亮的无机闪烁体基于直接间隙半导体中的辐射电子 - 空穴复合，例如。 CdS和ZnO。 直接间隙半导体与两个不同的杂质原子共同掺杂，将半导体转换成快速，高亮度的闪烁体。 共掺杂方案基于掺杂剂掺杂剂掺杂剂阱掺杂剂复合。 一种掺杂剂提供了一种类型（电子或空穴）和另一种类型的其它掺杂剂陷阱载体的载流子的显着浓度。 实例包括CdS：In，Te; CdS：In，Ag; CdS：In，Na; ZnO：Ga，P; ZnO：Ga，N; ZnO：Ga，S; 和GaN：Ge，Mg。