公开(公告)号：US09293379B2

公开(公告)日：2016-03-22

申请号：US12553249

申请日：2009-09-03

申请人： Eduardo M. Chumbes ,  William E. Hoke ,  Kelly P. Ip ,  Dale M. Shaw ,  Steven K. Brierley

发明人： Eduardo M. Chumbes ,  William E. Hoke ,  Kelly P. Ip ,  Dale M. Shaw ,  Steven K. Brierley

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L21/8252 ,  H01L21/311 ,  H01L27/06

CPC分类号： H01L21/8252 ,  H01L21/31111 ,  H01L27/0605

摘要： A method for forming a structure on a surface of a semiconductor. The method includes: forming the material as a lower layer of the structure using a first deposition process to provide the lower layer with a first etch rate to a predetermined etchant; forming the upper layer of the structure with the material on the lower using a second deposition process to provide the upper layer with a second etch rate to the predetermined etchant higher than the first etch rate; and applying the predetermined etchant to upper layer to selectively remove the upper while leaving the lower layer.

摘要翻译： 一种在半导体表面上形成结构的方法。 该方法包括：使用第一沉积工艺将所述材料形成为所述结构的下层，以向所述下层提供预定蚀刻剂的第一蚀刻速率; 使用第二沉积工艺在所述下部材料上形成所述结构的上层，以向所述上层提供比所述第一蚀刻速率高的所述预定蚀刻剂的第二蚀刻速率; 并将预定的蚀刻剂施加到上层，以选择性地移除上部，同时离开下层。

公开(公告)号：US20100219452A1

公开(公告)日：2010-09-02

申请号：US12394182

申请日：2009-02-27

申请人： STEVEN K. BRIERLEY

发明人： STEVEN K. BRIERLEY

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/205 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/432 ,  H01L29/7787

摘要： A GaN HEMT structure having: a first III-N layer on GaN; a source electrode in contact with a first surface portion the first III-N layer disposed over a first region in the GaN layer; a drain electrode in contact with a second surface portion of the first III-N layer disposed over a second region in the GaN layer; a gate electrode disposed over a third surface portion of the first III-N layer, such third surface portion being disposed over a third region in the GaN layer. The GaN layer has: a fourth region therein disposed between the first region therein and the third region; and a fifth region therein disposed between the third region therein and the second region therein. A second III-N layer is disposed over the first III-N layer for generating a two-dimensional electron gas density in the GaN density in at least one of the fourth region and fifth region greater than the density in the third region of the GaN layer.

摘要翻译： GaN HEMT结构，其具有：GaN上的第一III-N层; 源极，与第一表面部分接触，设置在GaN层中的第一区域上的第一III-N层; 漏极，与所述GaN层中的第二区域上的所述第一III-N层的第二表面部分接触; 设置在所述第一III-N层的第三表面部分上方的栅电极，所述第三表面部分设置在所述GaN层中的第三区域上。 GaN层具有：第一区域和第三区域之间的第四区域; 以及其中设置在其中的第三区域和其中的第二区域之间的第五区域。 在第一III-N层上设置第二III-N层，用于在第四区域和第五区域中的至少一个中产生GaN密度中的二维电子密度大于GaN的第三区域中的密度 层。

公开(公告)号：US20110049581A1

公开(公告)日：2011-03-03

申请号：US12553249

申请日：2009-09-03

申请人： Eduardo M. Chumbes ,  William E. Hoke ,  Kelly P. Ip ,  Dale M. Shaw ,  Steven K. Brierley

发明人： Eduardo M. Chumbes ,  William E. Hoke ,  Kelly P. Ip ,  Dale M. Shaw ,  Steven K. Brierley

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L21/302 ,  H01L21/02 ,  H01L29/38 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/8252 ,  H01L21/31111 ,  H01L27/0605

摘要： A method for forming a structure on a surface of a semiconductor. The method includes: forming the material as a lower layer of the structure using a first deposition process to provide the lower layer with a first etch rate to a predetermined etchant; forming the upper layer of the structure with the material on the lower using a second deposition process to provide the upper layer with a second etch rate to the predetermined etchant higher than the first etch rate; and applying the predetermined etchant to upper layer to selectively remove the upper while leaving the lower layer.

摘要翻译： 一种在半导体表面上形成结构的方法。 该方法包括：使用第一沉积工艺将所述材料形成为所述结构的下层，以向所述下层提供预定蚀刻剂的第一蚀刻速率; 使用第二沉积工艺在所述下部材料上形成所述结构的上层，以向所述上层提供比所述第一蚀刻速率高的所述预定蚀刻剂的第二蚀刻速率; 并将预定的蚀刻剂施加到上层，以选择性地移除上部，同时离开下层。