公开(公告)号：US20130143406A1

公开(公告)日：2013-06-06

申请号：US13311948

申请日：2011-12-06

申请人： Yu-Rung Hsu ,  Sung-Hsun Wu ,  Kuo Bin Huang

发明人： Yu-Rung Hsu ,  Sung-Hsun Wu ,  Kuo Bin Huang

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： G03F7/42 ,  G03F7/423 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/67115

摘要： A method for manufacturing a semiconductor device includes forming a patterned photoresist layer over a substrate, performing a plasma ashing process to the patterned photoresist layer, thereby removing a portion of the patterned photoresist layer, exposing the patterned photoresist layer to broadband ultraviolet radiation and ozone, thereby removing other portions of the patterned photoresist layer, and performing a cleaning of the patterned photoresist layer after exposing the patterned photoresist layer to broadband ultraviolet radiation and ozone.

摘要翻译： 一种用于制造半导体器件的方法包括在衬底上形成图案化的光致抗蚀剂层，对图案化的光致抗蚀剂层执行等离子体灰化处理，从而去除图案化光致抗蚀剂层的一部分，将图案化的光致抗蚀剂层暴露于宽带紫外线辐射和臭氧， 从而去除图案化光致抗蚀剂层的其它部分，并且在将图案化的光致抗蚀剂层暴露于宽带紫外线辐射和臭氧之后，对图案化的光致抗蚀剂层进行清洁。

公开(公告)号：US08734662B2

公开(公告)日：2014-05-27

申请号：US13311948

申请日：2011-12-06

申请人： Yu-Rung Hsu ,  Sung Hsun Wu ,  Kuo Bin Huang

发明人： Yu-Rung Hsu ,  Sung Hsun Wu ,  Kuo Bin Huang

IPC分类号： B44C1/22

CPC分类号： G03F7/42 ,  G03F7/423 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/67115

摘要： A method for manufacturing a semiconductor device includes forming a patterned photoresist layer over a substrate, performing a plasma ashing process to the patterned photoresist layer, thereby removing a portion of the patterned photoresist layer, exposing the patterned photoresist layer to broadband ultraviolet radiation and ozone, thereby removing other portions of the patterned photoresist layer, and performing a cleaning of the patterned photoresist layer after exposing the patterned photoresist layer to broadband ultraviolet radiation and ozone.

摘要翻译： 一种用于制造半导体器件的方法包括在衬底上形成图案化的光致抗蚀剂层，对图案化的光致抗蚀剂层执行等离子体灰化处理，从而去除图案化光致抗蚀剂层的一部分，将图案化的光致抗蚀剂层暴露于宽带紫外线辐射和臭氧， 从而去除图案化光致抗蚀剂层的其它部分，并且在将图案化的光致抗蚀剂层暴露于宽带紫外线辐射和臭氧之后，对图案化的光致抗蚀剂层进行清洁。