公开(公告)号：US20060225024A1

公开(公告)日：2006-10-05

申请号：US11096613

申请日：2005-03-31

Applicant: Bin Hu ,  Vivek Singh ,  Victor Bashurin ,  Yuri Bogunenko

Inventor： Bin Hu ,  Vivek Singh ,  Victor Bashurin ,  Yuri Bogunenko

IPC: G06F17/50

CPC classification number: G03F1/36

Abstract: Faster synthesis of photolithography mask modifications is described. In one embodiment, the invention includes synthesizing a first binary photolithography mask, developing perturbations to an estimated electric field generated by the first mask in use, and synthesizing a second binary photolithography mask by applying the perturbations to the first mask.

Abstract translation: 描述了更快的光刻掩模修改的合成。 在一个实施例中，本发明包括合成第一二进制光刻掩模，对使用中由第一掩模产生的估计电场产生扰动，以及通过将扰动应用于第一掩模来合成第二二进制光刻掩模。