公开(公告)号：US06689645B2

公开(公告)日：2004-02-10

申请号：US09851974

申请日：2001-05-10

申请人： Mau-Phon Houng ,  Yeong-Her Wang ,  Wai-Jyh Chang

发明人： Mau-Phon Houng ,  Yeong-Her Wang ,  Wai-Jyh Chang

IPC分类号： H01L21335

CPC分类号： H01L21/02052 ,  H01L21/31629

摘要： In the fabrication of gate oxides in IC process, a suitable cleaning/etching process is required to remove the native oxides and reduce surface microroughness in addition to standard RCA cleaning. For ultrathin oxide thickness (

摘要翻译： 在IC工艺中栅极氧化物的制造中，除了标准的RCA清洁之外，还需要适当的清洁/蚀刻工艺去除天然氧化物并降低表面微观粗糙度。 对于超薄氧化物厚度（<10nm），具有无自然氧化物和H钝化硅（Si）表面的重要问题是确保高击穿场，高电荷到击穿和低漏电流。 根据这些概念，我们提出了一种简单的两步氟化氢（HF）蚀刻工艺的发明，以改善液相沉积氟化硅氧化物（LPD-SiOF）的电性能，包括有效去除天然氧化物，降低 界面陷阱密度（〜10 10 eV-1 cm -2），表面微粗糙度（Ra = 0.1nm）的降低和击穿场的提高（〜9.7 MV / cm）。 此外，快速热退火（RTA）也用于进一步提高氧化物质量。 发现击穿场增加18％，界面陷阱密度降低33％。 除了适用于LPD-氧化硅（SiO 2）之外，该技术也适用于其他掺杂氧化物。 该技术有助于在未来的ULSI工艺中获得用于超薄栅极氧化物的高质量和低成本的氧化硅。