公开(公告)号：US08848325B2

公开(公告)日：2014-09-30

申请号：US13401652

申请日：2012-02-21

申请人： Hsin-Liang Chen ,  Wen-Ching Tung

发明人： Hsin-Liang Chen ,  Wen-Ching Tung

IPC分类号： H03K17/06

CPC分类号： H01L27/0259 ,  H03K17/127 ,  H03K17/567

摘要： A high voltage semiconductor element and an operating method thereof are provided. The high voltage semiconductor element comprises a high voltage metal-oxide-semiconductor transistor (HVMOS) and a NPN type electro-static discharge bipolar transistor (ESD BJT). The HVMOS has a drain and a source. The NPN type ESD BJT has a first collector and a first emitter. The first collector is electronically connected to the drain, and the first emitter is electronically connected to the source.

摘要翻译： 提供高电压半导体元件及其操作方法。 高电压半导体元件包括高电压金属氧化物半导体晶体管（HVMOS）和NPN型静电放电双极型晶体管（ESD BJT）。 HVMOS有一个漏极和源极。 NPN型ESD BJT具有第一集电极和第一发射极。 第一集电极电连接到漏极，第一发射极电连接到源极。

公开(公告)号：US20130214821A1

公开(公告)日：2013-08-22

申请号：US13401652

申请日：2012-02-21

申请人： Hsin-Liang Chen ,  Wen-Ching Tung

发明人： Hsin-Liang Chen ,  Wen-Ching Tung

IPC分类号： H03K17/06 ,  H01L29/10

CPC分类号： H01L27/0259 ,  H03K17/127 ,  H03K17/567

摘要： A high voltage semiconductor element and an operating method thereof are provided. The high voltage semiconductor element comprises a high voltage metal-oxide-semiconductor transistor (HVMOS) and a NPN type electro-static discharge bipolar transistor (ESD BJT). The HVMOS has a drain and a source. The NPN type ESD BJT has a first collector and a first emitter. The first collector is electronically connected to the drain, and the first emitter is electronically connected to the source.

摘要翻译： 提供高电压半导体元件及其操作方法。 高电压半导体元件包括高电压金属氧化物半导体晶体管（HVMOS）和NPN型静电放电双极晶体管（ESD BJT）。 HVMOS有一个漏极和源极。 NPN型ESD BJT具有第一集电极和第一发射极。 第一集电极电连接到漏极，第一发射极电连接到源极。