公开(公告)号：US4681657A

公开(公告)日：1987-07-21

申请号：US793402

申请日：1985-10-31

申请人： Bao-Tai Hwang ,  Wendy A. Orr-Arienzo ,  Reinhard Glang

发明人： Bao-Tai Hwang ,  Wendy A. Orr-Arienzo ,  Reinhard Glang

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/308 ,  B44C1/22 ,  C03C15/00 ,  C23F1/02

CPC分类号： H01L21/30604 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3085

摘要： The present invention provides an improved etchant composition and method for the resistivity specific etching of doped silicon films which overlie intrinsic or lightly doped crystal regions. The composition of the etchant is 0.2-6 mole % hydrofluoric acid, 14-28 mole % nitric acid, and 66-86 mole % acetic acid/water. The etchant leaves no silicon residue and provides for controlled etching with an etch stop at the lightly doped or intrinsic region.

摘要翻译： 本发明提供了一种改进的蚀刻剂组成和方法，用于覆盖本征或轻掺杂晶体区域的掺杂硅膜的电阻率特异性蚀刻。 蚀刻剂的组成为0.2-6摩尔％氢氟酸，14-28摩尔％硝酸和66-86摩尔％乙酸/水。 蚀刻剂不留下硅残留物，并且在轻掺杂或固有区域提供用蚀刻停止层的受控蚀刻。