公开(公告)号：US20070096084A1

公开(公告)日：2007-05-03

申请号：US11263111

申请日：2005-10-31

申请人： Deepak Shukla ,  Diane Freeman ,  Shelby Nelson ,  Jeffrey Carey ,  Wendy Ahearn

发明人： Deepak Shukla ,  Diane Freeman ,  Shelby Nelson ,  Jeffrey Carey ,  Wendy Ahearn

IPC分类号： H01L51/00 ,  C07D471/02

CPC分类号： H01L51/0545 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C09B57/08 ,  H01L51/0008 ,  H01L51/0053 ,  Y02E10/549

摘要： A thin film transistor comprises a layer of organic semiconductor material comprising a tetracarboxylic diimide naphthalene-based compound having, attached to each of the imide nitrogen atoms, an aromatic moiety, at least one of which moieties is substituted with at least one electron donating group. Such transistors can further comprise spaced apart first and second contact means or electrodes in contact with said material. Further disclosed is a process for fabricating an organic thin-film transistor device, preferably by sublimation deposition onto a substrate, wherein the substrate temperature is no more than 100° C.

摘要翻译： 一种薄膜晶体管，包括一层有机半导体材料，它包括一个四羧酸二酰亚胺萘系化合物，它具有连接到每个酰亚胺氮原子上的芳族部分，其中至少一个部分被至少一个给电子基团取代。 这种晶体管还可以包括与所述材料接触的间隔开的第一和第二接触装置或电极。 进一步公开了一种用于制造有机薄膜晶体管器件的方法，优选通过升华沉积到衬底上，其中衬底温度不超过100℃。