公开(公告)号：US20110284917A1

公开(公告)日：2011-11-24

申请号：US12901731

申请日：2010-10-11

申请人： Michiaki Murata ,  Hiroyuki Usami ,  Yasuhisa Oota ,  Hitoshi Takahashi

发明人： Michiaki Murata ,  Hiroyuki Usami ,  Yasuhisa Oota ,  Hitoshi Takahashi

IPC分类号： H01L33/40

CPC分类号： H01L33/40 ,  H01L21/76834 ,  H01L29/452 ,  H01L33/30 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/24 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/00

摘要： A compound semiconductor device includes: an Au alloy electrode, an interlayer insulating film, a metal interconnection, and an oxide film. The Au alloy electrode is formed on a compound semiconductor. The interlayer insulating film is formed on the Au alloy electrode. The metal interconnection is connected to the Au alloy electrode via a contact hole formed in the interlayer insulating film. The oxide film is formed at an interface between the Au alloy electrode and the interlayer insulating film, dominating component of the oxide film is a constituent element of the compound semiconductor.

摘要翻译： 化合物半导体器件包括：Au合金电极，层间绝缘膜，金属互连和氧化物膜。 Au合金电极形成在化合物半导体上。 在Au合金电极上形成层间绝缘膜。 金属互连通过形成在层间绝缘膜中的接触孔连接到Au合金电极。 氧化膜形成在Au合金电极和层间绝缘膜之间的界面处，氧化膜的主要成分是化合物半导体的构成元素。