公开(公告)号：US08878320B2

公开(公告)日：2014-11-04

申请号：US13425328

申请日：2012-03-20

申请人： Koji Yamakawa ,  Daisuke Ikeno ,  Yasuki Sonoda

发明人： Koji Yamakawa ,  Daisuke Ikeno ,  Yasuki Sonoda

IPC分类号： H01L29/82 ,  H01L43/08 ,  H01L27/22

CPC分类号： H01L43/08 ,  H01L27/222

摘要： According to one embodiment, a semiconductor memory device includes plural magneto-resistance elements being two-dimensionally arrayed on a semiconductor substrate. In the semiconductor memory device, each of the magneto-resistance elements includes: a first magnetic layer formed on the semiconductor substrate; a non-magnetic layer formed on the first magnetic layer; and a second magnetic layer formed on the non-magnetic layer, and an insulating film buried between the magneto-resistance elements adjacent to each other, a powder made of a metallic material or a magnetic material being dispersed in the insulating film.

摘要翻译： 根据一个实施例，半导体存储器件包括二维排列在半导体衬底上的多个磁阻元件。 在半导体存储器件中，每个磁阻元件包括：形成在半导体衬底上的第一磁性层; 形成在所述第一磁性层上的非磁性层; 以及形成在非磁性层上的第二磁性层和埋在彼此相邻的磁阻元件之间的绝缘膜，由金属材料或磁性材料制成的粉末分散在绝缘膜中。