公开(公告)号：US20100081286A1

公开(公告)日：2010-04-01

申请号：US12585485

申请日：2009-09-16

Applicant: Nam-Gun Kim ,  Sung-Il Cho ,  Yeong-Hun Han

Inventor： Nam-Gun Kim ,  Sung-Il Cho ,  Yeong-Hun Han

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31122 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802

Abstract: A method of etching a carbon-containing layer, a method of forming a contact hole using the same, and a method of manufacturing a semiconductor device using the same, the method of etching a carbon-containing layer including forming a capping layer pattern on a carbon-containing layer to expose a portion of the carbon-containing layer, and plasma etching the exposed portion of the carbon-containing layer using an etching gas, wherein the etching gas includes oxygen gas and an inert gas, the inert gas being xenon gas or a gas mixture of xenon gas and argon gas.

Abstract translation: 一种蚀刻含碳层的方法，使用该方法形成接触孔的方法以及使用该方法制造半导体器件的方法，包括在包含在其上形成覆盖层图案的含碳层的方法 含碳层以暴露一部分含碳层，以及使用蚀刻气体等离子体蚀刻含碳层的暴露部分，其中蚀刻气体包括氧气和惰性气体，惰性气体是氙气体 或氙气和氩气的气体混合物。