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    MAGNETIC SENSING DEVICE INCLUDING A SENSE ENHANCING LAYER
    1.
    发明申请
    MAGNETIC SENSING DEVICE INCLUDING A SENSE ENHANCING LAYER 有权
    包括感应增强层的磁感测装置

    公开(公告)号：US20100255349A1

    公开(公告)日：2010-10-07

    申请号：US12816967

    申请日：2010-06-16

    申请人： Zheng Gao ,  Brian W. Karr ,  Song Xue ,  Eric L. Granstrom ,  Khuong T. Tran ,  Yi X. Li

    发明人： Zheng Gao ,  Brian W. Karr ,  Song Xue ,  Eric L. Granstrom ,  Khuong T. Tran ,  Yi X. Li

    IPC分类号： G11B5/39

    CPC分类号： G01R33/093 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G11B5/3906 ,  G11B5/3909 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3295 ,  H01L43/08 ,  Y10T428/1114 ,  Y10T428/1121

    摘要： A magnetic sensor includes a sensor stack having a first magnetic portion, a second magnetic portion, and a barrier layer between the first magnetic portion and the second magnetic portion. At least one of the first magnetic portion and the second magnetic portion includes a multilayer structure having a first magnetic layer having a positive magnetostriction adjacent to the barrier layer, a second magnetic layer, and an intermediate layer between the first magnetic layer and the second magnetic layer. The magnetic sensor has an MR ratio of at least about 80% when the magnetic sensor has a resistance-area (RA) product of about 1.0 Ω·μm2.

    摘要翻译： 磁传感器包括具有在第一磁性部分和第二磁性部分之间的第一磁性部分，第二磁性部分和阻挡层的传感器堆叠。 第一磁性部分和第二磁性部分中的至少一个包括多层结构，其具有与阻挡层相邻的具有正的磁致伸缩的第一磁性层，第二磁性层以及第一磁性层和第二磁性层之间的中间层 层。 当磁传感器的电阻面积（RA）积为约1.0＆OHgr·μm2时，磁传感器具有至少约80％的MR比。

    Magnetic sensing device including a sense enhancing layer
    3.
    发明授权
    Magnetic sensing device including a sense enhancing layer 有权
    磁感测装置包括感应增强层

    公开(公告)号：US07929259B2

    公开(公告)日：2011-04-19

    申请号：US12816967

    申请日：2010-06-16

    申请人： Zheng Gao ,  Brian W. Karr ,  Song Xue ,  Eric L. Granstrom ,  Khuong T. Tran ,  Yi X. Li

    发明人： Zheng Gao ,  Brian W. Karr ,  Song Xue ,  Eric L. Granstrom ,  Khuong T. Tran ,  Yi X. Li

    IPC分类号： G11B5/39

    CPC分类号： G01R33/093 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G11B5/3906 ,  G11B5/3909 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3295 ,  H01L43/08 ,  Y10T428/1114 ,  Y10T428/1121

    摘要： A magnetic sensor includes a sensor stack having a first magnetic portion, a second magnetic portion, and a barrier layer between the first magnetic portion and the second magnetic portion. At least one of the first magnetic portion and the second magnetic portion includes a multilayer structure having a first magnetic layer having a positive magnetostriction adjacent to the barrier layer, a second magnetic layer, and an intermediate layer between the first magnetic layer and the second magnetic layer. The magnetic sensor has an MR ratio of at least about 80% when the magnetic sensor has a resistance-area (RA) product of about 1.0 Ω·μm2.

    摘要翻译： 磁传感器包括具有在第一磁性部分和第二磁性部分之间的第一磁性部分，第二磁性部分和阻挡层的传感器堆叠。 第一磁性部分和第二磁性部分中的至少一个包括多层结构，其具有与阻挡层相邻的具有正的磁致伸缩的第一磁性层，第二磁性层以及第一磁性层和第二磁性层之间的中间层 层。 当磁传感器的电阻面积（RA）积为约1.0＆OHgr·μm2时，磁传感器具有至少约80％的MR比。