公开(公告)号：US07759194B2

公开(公告)日：2010-07-20

申请号：US12180389

申请日：2008-07-25

申请人： Yi-Peng Chan ,  Sheng-He Huang ,  Zhen Yang

发明人： Yi-Peng Chan ,  Sheng-He Huang ,  Zhen Yang

IPC分类号： H01L27/115

CPC分类号： H01L27/11521 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/11206 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11524 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/7883

摘要： An electrically programmable device with embedded EEPROM and method for making thereof. The method includes providing a substrate including a first device region and a second device region, growing a first gate oxide layer in the first device region and the second device region, and forming a first diffusion region in the first device region and a second diffusion region and a third diffusion region in the second device region. Additionally, the method includes implanting a first plurality of ions to form a fourth diffusion region in the first device region and a fifth diffusion region in the second device region. The fourth diffusion region overlaps with the first diffusion region.

摘要翻译： 具有嵌入式EEPROM的电可编程器件及其制造方法。 该方法包括提供包括第一器件区域和第二器件区域的衬底，在第一器件区域和第二器件区域中生长第一栅极氧化物层，以及在第一器件区域中形成第一扩散区域和第二扩散区域 以及第二装置区域中的第三扩散区域。 此外，该方法包括：注入第一多个离子以在第一器件区域中形成第四扩散区域，并在第二器件区域中形成第五扩散区域。 第四扩散区域与第一扩散区域重叠。

公开(公告)号：US20100019308A1

公开(公告)日：2010-01-28

申请号：US12180389

申请日：2008-07-25

申请人： YI-PENG CHAN ,  Sheng-He Huang ,  Zhen Yang

发明人： YI-PENG CHAN ,  Sheng-He Huang ,  Zhen Yang

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC分类号： H01L27/11521 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/11206 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11524 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/7883

摘要： An electrically programmable device with embedded EEPROM and method for making thereof. The method includes providing a substrate including a first device region and a second device region, growing a first gate oxide layer in the first device region and the second device region, and forming a first diffusion region in the first device region and a second diffusion region and a third diffusion region in the second device region. Additionally, the method includes implanting a first plurality of ions to form a fourth diffusion region in the first device region and a fifth diffusion region in the second device region. The fourth diffusion region overlaps with the first diffusion region.

摘要翻译： 具有嵌入式EEPROM的电可编程器件及其制造方法。 该方法包括提供包括第一器件区域和第二器件区域的衬底，在第一器件区域和第二器件区域中生长第一栅极氧化物层，以及在第一器件区域中形成第一扩散区域和第二扩散区域 以及第二装置区域中的第三扩散区域。 此外，该方法包括：注入第一多个离子以在第一器件区域中形成第四扩散区域，并在第二器件区域中形成第五扩散区域。 第四扩散区域与第一扩散区域重叠。

公开(公告)号：US08354707B2

公开(公告)日：2013-01-15

申请号：US12833939

申请日：2010-07-09

申请人： Yi-Peng Chan ,  Sheng-He Huang ,  Zhen Yang

发明人： Yi-Peng Chan ,  Sheng-He Huang ,  Zhen Yang

IPC分类号： H01L27/115

CPC分类号： H01L27/11521 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/11206 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11524 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/7883

摘要： A semiconductor device includes a substrate and a first gate oxide layer overlying a first device region and a second device region in the substrate, a first gate in the first device region, and a second gate and a third gate in the second device region. The device also has a first dielectric layer with a first portion disposed on the first gate, a second portion disposed adjacent a sidewall of the first gate, and a third portion disposed over the third gate. An inter-gate oxide layer is disposed on the first gate and between the first portion and the second portion of the first dielectric layer. A fourth gate overlies the second gate oxide layer, the inter-gate oxide layer, and the first portion and the second portion of the first dielectric layer in the first device region. A fifth gate overlies the third portion of the first dielectric layer which is disposed over the third gate in the second device region.

摘要翻译： 半导体器件包括衬底和覆盖衬底中的第一器件区域和第二器件区域的第一栅极氧化物层，第一器件区域中的第一栅极，以及第二器件区域中的第二栅极和第三栅极。 该装置还具有第一介电层，第一部分设置在第一栅极上，第二部分邻近第一栅极的侧壁设置，第三部分设置在第三栅极之上。 栅极间氧化物层设置在第一栅极上并且在第一介电层的第一部分和第二部分之间。 第四栅极覆盖在第一器件区域中的第二栅极氧化物层，栅极间氧化物层以及第一电介质层的第一部分和第二部分。 第五栅极覆盖设置在第二器件区域中的第三栅极上的第一电介质层的第三部分。

公开(公告)号：US20100276745A1

公开(公告)日：2010-11-04

申请号：US12833939

申请日：2010-07-09

申请人： YI-PENG CHAN ,  Sheng-He Huang ,  Zhen Yang

发明人： YI-PENG CHAN ,  Sheng-He Huang ,  Zhen Yang

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L29/788

CPC分类号： H01L27/11521 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/11206 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11524 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/7883

摘要： A semiconductor device includes a substrate and a first gate oxide layer overlying a first device region and a second device region in the substrate, a first gate in the first device region, and a second gate and a third gate in the second device region. The device also has a first dielectric layer with a first portion disposed on the first gate, a second portion disposed adjacent a sidewall of the first gate, and a third portion disposed over the third gate. An inter-gate oxide layer is disposed on the first gate and between the first portion and the second portion of the first dielectric layer. A fourth gate overlies the second gate oxide layer, the inter-gate oxide layer, and the first portion and the second portion of the first dielectric layer in the first device region. A fifth gate overlies the third portion of the first dielectric layer which is disposed over the third gate in the second device region.

摘要翻译： 半导体器件包括衬底和覆盖衬底中的第一器件区域和第二器件区域的第一栅极氧化物层，第一器件区域中的第一栅极，以及第二器件区域中的第二栅极和第三栅极。 该装置还具有第一介电层，第一部分设置在第一栅极上，第二部分邻近第一栅极的侧壁设置，第三部分设置在第三栅极之上。 栅极间氧化物层设置在第一栅极上并且在第一介电层的第一部分和第二部分之间。 第四栅极覆盖在第一器件区域中的第二栅极氧化物层，栅极间氧化物层以及第一电介质层的第一部分和第二部分。 第五栅极覆盖设置在第二器件区域中的第三栅极上的第一电介质层的第三部分。