公开(公告)号：US06403483B1

公开(公告)日：2002-06-11

申请号：US09695144

申请日：2000-10-25

申请人： Chung-Peng Hao ,  Chung-Lin Huang ,  Chung-Yuan Lee ,  Yih-Ren Shao ,  Pei-Ing Lee

发明人： Chung-Peng Hao ,  Chung-Lin Huang ,  Chung-Yuan Lee ,  Yih-Ren Shao ,  Pei-Ing Lee

IPC分类号： H01L21302

CPC分类号： H01L21/76897 ,  H01L21/76224

摘要： A shallow trench isolation having an etching stop layer and its method of fabrication. The method utilizes a shield layer such as a silicon nitride layer to serve as an etching stop layer. The etching stop layer is formed in the top position of the shallow trench isolation.

摘要翻译： 具有蚀刻停止层的浅沟槽隔离及其制造方法。 该方法利用诸如氮化硅层的屏蔽层作为蚀刻停止层。 蚀刻停止层形成在浅沟槽隔离的顶部位置。