公开(公告)号：US09379019B2

公开(公告)日：2016-06-28

申请号：US14701859

申请日：2015-05-01

申请人： Bum-Joon Youn ,  Tae-Sun Kim ,  Yeo-Jin Lee ,  Yu-Ra Kim ,  Jin-Man Kim ,  Jae-Kyung Seo ,  Ki-Man Lee

发明人： Bum-Joon Youn ,  Tae-Sun Kim ,  Yeo-Jin Lee ,  Yu-Ra Kim ,  Jin-Man Kim ,  Jae-Kyung Seo ,  Ki-Man Lee

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/265 ,  H01L29/66 ,  H01L21/762 ,  H01L21/266

CPC分类号： H01L21/823431 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636

摘要： In a method, an isolation layer pattern is formed on a substrate to define first and second active fins. An ARC layer is formed on the isolation layer pattern to at least partially cover sidewalls of the first and second active fins. A level of a top surface of the ARC layer is equal to or less than, and equal to or greater than half of, those of the first and second active fins. A photoresist layer is formed on the first and second active fins and the ARC layer. A portion of the photoresist layer is removed to form a photoresist pattern covering the first active fin and exposing the second active fin. A portion of the ARC layer under the removed portion of the photoresist layer is removed to form an ARC layer pattern. Impurities are implanted into the exposed second active fin to form an impurity region.

摘要翻译： 在一种方法中，在衬底上形成隔离层图案以限定第一和第二活性鳍片。 在隔离层图案上形成ARC层，以至少部分地覆盖第一和第二活性鳍片的侧壁。 ARC层的顶表面的水平等于或小于等于或大于第一和第二活性翅片的一半的水平。 在第一和第二活性鳍片和ARC层上形成光致抗蚀剂层。 去除光致抗蚀剂层的一部分以形成覆盖第一活性鳍片并暴露第二活性鳍片的光致抗蚀剂图案。 除去光致抗蚀剂层去除部分之下的ARC层的一部分以形成ARC层图案。 将杂质植入暴露的第二活性鳍中以形成杂质区。

公开(公告)号：US20160099177A1

公开(公告)日：2016-04-07

申请号：US14701859

申请日：2015-05-01

申请人： Bum-Joon YOUN ,  Tae-Sun KIM ,  Yeo-Jin LEE ,  Yu-Ra KIM ,  Jin-Man KIM ,  Jae-Kyung SEO ,  Ki-Man LEE

发明人： Bum-Joon YOUN ,  Tae-Sun KIM ,  Yeo-Jin LEE ,  Yu-Ra KIM ,  Jin-Man KIM ,  Jae-Kyung SEO ,  Ki-Man LEE

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L21/266 ,  H01L29/66 ,  H01L21/762 ,  H01L21/027 ,  H01L21/265

CPC分类号： H01L21/823431 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636

摘要： In a method, an isolation layer pattern is formed on a substrate to define first and second active fins. An ARC layer is formed on the isolation layer pattern to at least partially cover sidewalls of the first and second active fins. A level of a top surface of the ARC layer is equal to or less than, and equal to or greater than half of, those of the first and second active fins. A photoresist layer is formed on the first and second active fins and the ARC layer. A portion of the photoresist layer is removed to form a photoresist pattern covering the first active fin and exposing the second active fin. A portion of the ARC layer under the removed portion of the photoresist layer is removed to form an ARC layer pattern. Impurities are implanted into the exposed second active fin to form an impurity region.

摘要翻译： 在一种方法中，在衬底上形成隔离层图案以限定第一和第二活性鳍片。 在隔离层图案上形成ARC层，以至少部分地覆盖第一和第二活性鳍片的侧壁。 ARC层的顶表面的水平等于或小于等于或大于第一和第二活性翅片的一半的水平。 在第一和第二活性鳍片和ARC层上形成光致抗蚀剂层。 去除光致抗蚀剂层的一部分以形成覆盖第一活性鳍片并暴露第二活性鳍片的光致抗蚀剂图案。 除去光致抗蚀剂层去除部分之下的ARC层的一部分以形成ARC层图案。 将杂质植入暴露的第二活性鳍中以形成杂质区。