公开(公告)号：US20110169095A1

公开(公告)日：2011-07-14

申请号：US12687133

申请日：2010-01-14

申请人： Jei-Ming Chen ,  Hsiu-Lien Liao ,  Yu-Tuan Tsai ,  Teng-Chun Tsai

发明人： Jei-Ming Chen ,  Hsiu-Lien Liao ,  Yu-Tuan Tsai ,  Teng-Chun Tsai

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L29/7843

摘要： A structure of a strained-silicon transistor includes a PMOS disposed on a substrate, a silicon nitride layer positioned on the PMOS, and a compressive stress film disposed on the silicon nitride layer, wherein the silicon nitride has a stress between −0.1 Gpa and −3.2 Gpa, and the stress of the silicon nitride is smaller than the stress of the compressive stress layer.

摘要翻译： 应变硅晶体管的结构包括设置在衬底上的PMOS，位于PMOS上的氮化硅层和设置在氮化硅层上的压应力膜，其中氮化硅的应力为-0.1Gpa至 - 3.2 Gpa，氮化硅的应力小于压应力层的应力。

公开(公告)号：US20100304042A1

公开(公告)日：2010-12-02

申请号：US12475595

申请日：2009-05-31

申请人： Hsiu-Lien Liao ,  Teng-Chun Tsai ,  Jei-Ming Chen ,  Yu-Tuan Tsai ,  Chien-Chung Huang

发明人： Hsiu-Lien Liao ,  Teng-Chun Tsai ,  Jei-Ming Chen ,  Yu-Tuan Tsai ,  Chien-Chung Huang

IPC分类号： B05D3/14

CPC分类号： H01L21/3185 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/345 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02315

摘要： A method for forming super high stress layer is provided. First, a substrate is provided. Second, an ammonia-related pretreatment is performed on the substrate. The flow rate of ammonia is not less than s.c.c.m. and the high-frequency source power is set to be not less than 800 W. Later, the super high stress layer is formed on the substrate having undergone the ammonia-related pretreatment.

摘要翻译： 提供了一种形成超高应力层的方法。 首先，提供基板。 其次，在基板上进行与氨相关的预处理。 氨的流量不小于s.c.c.m。 高频源功率设定为800W以上。然后，在经过氨相关预处理的基板上形成超高应力层。

公开(公告)号：US08692332B2

公开(公告)日：2014-04-08

申请号：US12687133

申请日：2010-01-14

申请人： Jei-Ming Chen ,  Hsiu-Lien Liao ,  Yu-Tuan Tsai ,  Teng-Chun Tsai

发明人： Jei-Ming Chen ,  Hsiu-Lien Liao ,  Yu-Tuan Tsai ,  Teng-Chun Tsai

IPC分类号： H01L21/70

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L29/7843

摘要： A structure of a strained-silicon transistor includes a PMOS disposed on a substrate, a silicon nitride layer positioned on the PMOS, and a compressive stress film disposed on the silicon nitride layer, wherein the silicon nitride has a stress between −0.1 Gpa and −3.2 Gpa, and the stress of the silicon nitride is smaller than the stress of the compressive stress layer.

摘要翻译： 应变硅晶体管的结构包括设置在衬底上的PMOS，位于PMOS上的氮化硅层和设置在氮化硅层上的压应力膜，其中氮化硅的应力为-0.1Gpa至 - 3.2 Gpa，氮化硅的应力小于压应力层的应力。