公开(公告)号：US20090065879A1

公开(公告)日：2009-03-12

申请号：US11853499

申请日：2007-09-11

申请人： Yun-Han Ma ,  Ming-Tsung Lee ,  Shih-Ming Liang ,  Hwi-Huang Chen

发明人： Yun-Han Ma ,  Ming-Tsung Lee ,  Shih-Ming Liang ,  Hwi-Huang Chen

IPC分类号： H01L29/94 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/513 ,  H01L21/28167 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/4908

摘要： A high voltage device is provided. The high voltage device includes a gate on a substrate, two source/drain regions in the substrate beside the gate, and a composite gate dielectric layer that includes at least two stacked continuous layers, extending from one side to another side of the gate. Wherein, the at least two stacked continuous layers is a combination of at least one thermal oxide layer and at least one chemical vapor deposited layer.

摘要翻译： 提供高压装置。 高电压器件包括衬底上的栅极，栅极旁边的衬底中的两个源极/漏极区域和复合栅极电介质层，其包括从栅极的一侧延伸到另一侧的至少两个层叠的连续层。 其中，所述至少两个堆叠的连续层是至少一个热氧化物层和至少一个化学气相沉积层的组合。

公开(公告)号：US08420488B2

公开(公告)日：2013-04-16

申请号：US11853499

申请日：2007-09-11

申请人： Yun-Han Ma ,  Ming-Tsung Lee ,  Shih-Ming Liang ,  Hwi-Huang Chen

发明人： Yun-Han Ma ,  Ming-Tsung Lee ,  Shih-Ming Liang ,  Hwi-Huang Chen

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/513 ,  H01L21/28167 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/4908

摘要： A high voltage device is provided. The high voltage device includes a gate on a substrate, two source/drain regions in the substrate beside the gate, and a composite gate dielectric layer that includes at least two stacked continuous layers, extending from one side to another side of the gate. Wherein, the at least two stacked continuous layers is a combination of at least one thermal oxide layer and at least one chemical vapor deposited layer.

摘要翻译： 提供高压装置。 高电压器件包括衬底上的栅极，栅极旁边的衬底中的两个源极/漏极区域和复合栅极电介质层，其包括从栅极的一侧延伸到另一侧的至少两个层叠的连续层。 其中，所述至少两个堆叠的连续层是至少一个热氧化物层和至少一个化学气相沉积层的组合。