公开(公告)号：US20130260484A1

公开(公告)日：2013-10-03

申请号：US13431165

申请日：2012-03-27

申请人： Chyi-Shyuan Chern ,  Hsin-Hsien Wu ,  Yung-Hsin Yang ,  Ching-Hua Chiu

发明人： Chyi-Shyuan Chern ,  Hsin-Hsien Wu ,  Yung-Hsin Yang ,  Ching-Hua Chiu

IPC分类号： H01L21/66

CPC分类号： H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/22

摘要： The present disclosure involves a method of fabricating a light-emitting diode (LED) wafer. The method first determines a target surface morphology for the LED wafer. The target surface morphology yields a maximum light output for LEDs on the LED wafer. The LED wafer is etched to form a roughened wafer surface. Thereafter, using a laser scanning microscope, the method investigates an actual surface morphology of the LED wafer. Afterwards, if the actual surface morphology differs from the target surface morphology beyond an acceptable limit, the method repeats the etching step one or more times. The etching is repeated by adjusting one or more etching parameters.

摘要翻译： 本发明涉及一种制造发光二极管（LED）晶片的方法。 该方法首先确定LED晶片的目标表面形态。 目标表面形态为LED晶圆上的LED产生最大的光输出。 蚀刻LED晶片以形成粗糙的晶片表面。 此后，使用激光扫描显微镜，该方法研究了LED晶片的实际表面形态。 此后，如果实际的表面形态与目标表面形态不同，超过可接受的极限，则该方法重复一次或多次蚀刻步骤。 通过调整一个或多个蚀刻参数重复蚀刻。

公开(公告)号：US09324624B2

公开(公告)日：2016-04-26

申请号：US13431165

申请日：2012-03-27

申请人： Chyi-Shyuan Chern ,  Hsin-Hsien Wu ,  Yung-Hsin Yang ,  Ching-Hua Chiu

发明人： Chyi-Shyuan Chern ,  Hsin-Hsien Wu ,  Yung-Hsin Yang ,  Ching-Hua Chiu

IPC分类号： G01R31/26 ,  H01L21/66 ,  H01L33/00 ,  H01L33/22

CPC分类号： H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/22

摘要： The present disclosure involves a method of fabricating a light-emitting diode (LED) wafer. The method first determines a target surface morphology for the LED wafer. The target surface morphology yields a maximum light output for LEDs on the LED wafer. The LED wafer is etched to form a roughened wafer surface. Thereafter, using a laser scanning microscope, the method investigates an actual surface morphology of the LED wafer. Afterwards, if the actual surface morphology differs from the target surface morphology beyond an acceptable limit, the method repeats the etching step one or more times. The etching is repeated by adjusting one or more etching parameters.

摘要翻译： 本发明涉及一种制造发光二极管（LED）晶片的方法。 该方法首先确定LED晶片的目标表面形态。 目标表面形态为LED晶圆上的LED产生最大的光输出。 蚀刻LED晶片以形成粗糙的晶片表面。 此后，使用激光扫描显微镜，该方法研究了LED晶片的实际表面形态。 此后，如果实际的表面形态与目标表面形态不同，超过可接受的极限，则该方法重复一次或多次蚀刻步骤。 通过调整一个或多个蚀刻参数重复蚀刻。