公开(公告)号：US20130299722A1

公开(公告)日：2013-11-14

申请号：US13945013

申请日：2013-07-18

Applicant: ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY, INC.

Inventor： CHENG-HUI SHEN ,  ZHIMIN WAN

IPC: H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/244 ,  H01J2237/24405 ,  H01J2237/2446 ,  H01J2237/24507 ,  H01J2237/24542

Abstract: An ion implantation method and an ion implanter with a beam profiler are proposed in this invention. The method comprises setting scan conditions, detecting the ion beam profile, calculating the dose profile according to the detected ion beam profile and scan conditions, determining the displacement for ion implantation and implanting ions on a wafer surface. The ion implanter used the beam profiler to detect the ion beam profile, calculate dose profile and determine the displacement and used the displacement in ion implantation for optimizing, wherein the beam profiler comprises a body with ion channel and detection unit behind the ion channel in the body for beam profile detection. The beam profiler may be a 1-dimensional, 2-dimensional or angle beam profiler.

Abstract translation: 本发明提出了一种具有光束轮廓仪的离子注入方法和离子注入机。 该方法包括设置扫描条件，检测离子束分布，根据检测到的离子束分布和扫描条件计算剂量分布，确定离子注入的位移和在晶片表面上注入离子。 离子注入机使用光束轮廓仪检测离子束轮廓，计算剂量分布并确定位移，并使用离子注入中的位移进行优化，其中光束轮廓仪包括具有离子通道的主体和离子通道后面的检测单元 用于光束轮廓检测的主体。 光束轮廓仪可以是一维的，二维的或角度的光束分析器。