公开(公告)号：US06905616B2

公开(公告)日：2005-06-14

申请号：US10382562

申请日：2003-03-05

申请人： Ajay Kumar ,  Anisul H Khan ,  Sanjay M Thekdi ,  Sharma V Pamarthy

发明人： Ajay Kumar ,  Anisul H Khan ,  Sanjay M Thekdi ,  Sharma V Pamarthy

IPC分类号： B31D3/00 ,  B44C1/22 ,  B81C1/00 ,  C03C15/00 ,  C03C25/68 ,  C23F1/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： B81C1/00952

摘要： Micro devices are formed in situ in a high density in a substrate comprising a masked silicon layer over a stop layer of a silicon compound, by anisotropically etching the desired feature in the silicon layer, overetching to form a notch at the silicon-stop layer interface, depositing a protective fluorocarbon polymer layer on the sidewalls and bottom of the etched silicon layer, and isotropically etching to separate the etched feature from the stop layer. This method avoids the problems of stiction common in other methods of forming micro devices.

摘要翻译： 通过各向异性地蚀刻硅层中的所需特征，在基底上形成微孔器件，在衬底上形成掩模硅层，通过各向异性蚀刻硅层中的所需特征，过蚀刻以在硅 - 停止层界面处形成缺口 ，在蚀刻硅层的侧壁和底部上沉积保护性碳氟聚合物层，并进行各向同性蚀刻以将蚀刻的特征与停止层分离。 这种方法避免了在其他形成微器件的方法中常见的静电问题。