公开(公告)号：US08310011B2

公开(公告)日：2012-11-13

申请号：US13208610

申请日：2011-08-12

申请人： Akram A. Salman ,  Stephen G. Beebe ,  Shuqing Cao

发明人： Akram A. Salman ,  Stephen G. Beebe ,  Shuqing Cao

IPC分类号： H01L23/62

CPC分类号： H01L21/84 ,  H01L27/0288 ,  H01L27/0802 ,  H01L27/0811 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An electrostatic discharge protection device and methodology are provided for protecting semiconductor devices against electrostatic discharge events by temporarily forming during normal (non-ESD) operation two more inversion layers (112, 113) in a first well region (104) that is disposed between anode and cathode regions (105, 106) in response to one or more bias voltages (G1, G2) that are close to Vdd in order to reduce leakage current and capacitance during normal operation (non-ESD) condition. During an electrostatic discharge event, the bias voltages can be removed (e.g., decoupled or set to 0V) to eliminate the inversion layers, thereby forming a semiconductor resistor for shunting the ESD current.

摘要翻译： 提供了一种静电放电保护装置和方法，用于通过在正常（非ESD）操作期间临时形成半导体器件来防止静电放电事件，在位于阳极之间的第一阱区（104）中的两个反转层（112,113） 和阴极区域（105,106），以响应于接近Vdd的一个或多个偏置电压（G1，G2），以便在正常操作（非ESD）状态期间减少漏电流和电容。 在静电放电事件期间，可以去除偏置电压（例如，去耦合或设置为0V）以消除反转层，从而形成用于分流ESD电流的半导体电阻器。

公开(公告)号：US08018002B2

公开(公告)日：2011-09-13

申请号：US12490749

申请日：2009-06-24

申请人： Akram A. Salman ,  Stephen G. Beebe ,  Shuqing Cao

发明人： Akram A. Salman ,  Stephen G. Beebe ,  Shuqing Cao

IPC分类号： H01L23/62

CPC分类号： H01L21/84 ,  H01L27/0288 ,  H01L27/0802 ,  H01L27/0811 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An electrostatic discharge protection device and methodology are provided for protecting semiconductor devices against electrostatic discharge events by temporarily forming during normal (non-ESD) operation two more inversion layers (112, 113) in a first well region (104) that is disposed between anode and cathode regions (105, 106) in response to one or more bias voltages (G1, G2) that are close to Vdd in order to reduce leakage current and capacitance during normal operation (non-ESD) condition. During an electrostatic discharge event, the bias voltages can be removed (e.g., decoupled or set to 0V) to eliminate the inversion layers, thereby forming a semiconductor resistor for shunting the ESD current.

摘要翻译： 提供了一种静电放电保护装置和方法，用于通过在正常（非ESD）操作期间临时形成半导体器件来防止静电放电事件，在位于阳极之间的第一阱区（104）中的两个反转层（112,113） 和阴极区域（105,106），以响应于接近Vdd的一个或多个偏置电压（G1，G2），以便在正常操作（非ESD）状态期间减少漏电流和电容。 在静电放电事件期间，可以去除偏置电压（例如，去耦合或设置为0V）以消除反转层，从而形成用于分流ESD电流的半导体电阻器。

公开(公告)号：US20120003818A1

公开(公告)日：2012-01-05

申请号：US13208610

申请日：2011-08-12

申请人： Akram A. Salman ,  Stephen G. Beebe ,  Shuqing Cao

发明人： Akram A. Salman ,  Stephen G. Beebe ,  Shuqing Cao

IPC分类号： H01L21/326

CPC分类号： H01L21/84 ,  H01L27/0288 ,  H01L27/0802 ,  H01L27/0811 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An electrostatic discharge protection device and methodology are provided for protecting semiconductor devices against electrostatic discharge events by temporarily forming during normal (non-ESD) operation two more inversion layers (112, 113) in a first well region (104) that is disposed between anode and cathode regions (105, 106) in response to one or more bias voltages (G1, G2) that are close to Vdd in order to reduce leakage current and capacitance during normal operation (non-ESD) condition. During an electrostatic discharge event, the bias voltages can be removed (e.g., decoupled or set to 0V) to eliminate the inversion layers, thereby forming a semiconductor resistor for shunting the ESD current.

摘要翻译： 提供了一种静电放电保护装置和方法，用于通过在正常（非ESD）操作期间临时形成半导体器件来防止静电放电事件，在位于阳极之间的第一阱区（104）中的两个反转层（112,113） 和阴极区域（105,106），以响应于接近Vdd的一个或多个偏置电压（G1，G2），以便在正常操作（非ESD）状态期间减少漏电流和电容。 在静电放电事件期间，可以去除偏置电压（例如，去耦合或设置为0V）以消除反转层，从而形成用于分流ESD电流的半导体电阻器。

公开(公告)号：US20100328826A1

公开(公告)日：2010-12-30

申请号：US12490749

申请日：2009-06-24

申请人： Akram A. Salman ,  Stephen G. Beebe ,  Shuqing Cao

发明人： Akram A. Salman ,  Stephen G. Beebe ,  Shuqing Cao

IPC分类号： H02H9/04 ,  H01L27/06

CPC分类号： H01L21/84 ,  H01L27/0288 ,  H01L27/0802 ,  H01L27/0811 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An electrostatic discharge protection device and methodology are provided for protecting semiconductor devices against electrostatic discharge events by temporarily forming during normal (non-ESD) operation two more inversion layers (112, 113) in a first well region (104) that is disposed between anode and cathode regions (105, 106) in response to one or more bias voltages (G1, G2) that are close to Vdd in order to reduce leakage current and capacitance during normal operation (non-ESD) condition. During an electrostatic discharge event, the bias voltages can be removed (e.g., decoupled or set to 0V) to eliminate the inversion layers, thereby forming a semiconductor resistor for shunting the ESD current.

摘要翻译： 提供了一种静电放电保护装置和方法，用于通过在正常（非ESD）操作期间临时形成半导体器件来防止静电放电事件，在位于阳极之间的第一阱区（104）中的两个反转层（112,113） 和阴极区域（105,106），以响应于接近Vdd的一个或多个偏置电压（G1，G2），以便在正常操作（非ESD）状态期间减少漏电流和电容。 在静电放电事件期间，可以去除偏置电压（例如，去耦合或设置为0V）以消除反转层，从而形成用于分流ESD电流的半导体电阻器。