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    Silicon carbide bipolar junction transistors having epitaxial base regions and multilayer emitters and methods of fabricating the same
    1.
    发明申请
    Silicon carbide bipolar junction transistors having epitaxial base regions and multilayer emitters and methods of fabricating the same 有权
    具有外延基极区域和多层发射极的碳化硅双极结型晶体管及其制造方法

    公开(公告)号：US20070235757A1

    公开(公告)日：2007-10-11

    申请号：US11229474

    申请日：2005-09-16

    申请人： Anant Agarwal ,  Sumithra Krishnaswami ,  Sei-Hyung Ryu ,  Edward Hurt

    发明人： Anant Agarwal ,  Sumithra Krishnaswami ,  Sei-Hyung Ryu ,  Edward Hurt

    IPC分类号： H01L31/00

    CPC分类号： H01L29/66068 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/732

    摘要： Bipolar junction transistors (BJTs) are provided including silicon carbide (SiC) substrates. An epitaxial SiC base region is provided on the SiC substrate. The epitaxial SiC base region has a first conductivity type. An epitaxial SiC emitter region is also provided on the SiC substrate. The epitaxial SiC emitter region has a second conductivity type, different from the first conductivity type. The epitaxial SiC emitter region has first and second portions. The first portion is provided on the SiC substrate and the second portion is provided on the first portion. The second portion has a higher carrier concentration than the first portion. Related methods of fabricating BJTs are also provided herein.

    摘要翻译： 提供双极结晶体管（BJT），包括碳化硅（SiC）衬底。 在SiC衬底上设置外延SiC基区。 外延SiC基区具有第一导电类型。 外延SiC发射极区也设置在SiC衬底上。 外延SiC发射极区域具有不同于第一导电类型的第二导电类型。 外延SiC发射极区域具有第一和第二部分。 第一部分设置在SiC衬底上，第二部分设置在第一部分上。 第二部分具有比第一部分更高的载流子浓度。 本文还提供了制造BJT的相关方法。